实用新型专利申请书(集成电路).pdfVIP

百川东到海，何时复西归?少壮不努力，老大徒伤悲。——汉乐府

名称：一种同时匹配的低噪声放大器

说明书摘要

本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器(LowNoise

Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在集成电路(IntegratedCircuit)设计中的

同时匹配的低噪声放大器。本实用新型首先通过一个源简并电感(Source

DegenerationInductance)串联在MOS晶体管的源极以提供串联负反馈效应，使

ZZZZ*

得MOS管栅极的输入阻抗和噪声最优源阻抗满足；然后利用一个

inoptinopt

L型输入匹配网络，将MOS管的栅极匹配到信号源，从而使得本低噪声放大器的

输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小

噪声系数NF，而且实现了功率的最大传输；最后利用一个L型输出匹配网络，

min

实现MOS管的漏极与负载之间的匹配。本实用新型能够利用功耗约束噪声优化技

术(Power-ConstrainedNoiseOptimizationTechnique)选择MOS管M1的适当

尺寸，在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。

摘要附图

百川东到海，何时复西归?少壮不努力，老大徒伤悲。——汉乐府

权利要求书

1、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用集成电路(Integrated

Circuit)工艺实现，即将有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上来

实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹配和功率匹

配设计。

2、如权利要求1所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，包括：

MOS晶体管M1作为放大器件按照共源结构连接；源简并电感L(Source

s

DegenerationInductance)连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的

串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗

的共轭；电容C和电感L组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管

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栅极相连，另一端通过隔直电容C与信号源连接；电容C和电感L组成

c2d

一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与负载连接；

限流电阻R一端于电源V相连，另一端与L相连；一个电流镜电路由晶

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体管M2、电阻器和组成，M2的栅极和漏极相连，源极接地电位，的

RR