《微电子器件》第三版习题讲解.pptVIP

58、部分习题解答部分物理常数：第2章1、在N区耗尽区中，高斯定理为：取一个圆柱形体积，底面在PN结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于x处。则由高斯定理可得：当x=xn时，E(x)=0，因此，于是得：（2-5a）3、4、6、ND2ND18、(1)20、式中的I0因含ni2而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为1于是PN结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为224、PN结的正向扩散电流为当N-区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：当N-区缩短到W=3?m时，雪崩击穿电压成为：34、39、第3章NPN缓变基区晶体管在平衡时的能带图NPN缓变基区晶体管在放大区时的能带图NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图6、01以NPN管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），02再根据注入效率的定义，可得：039、10、14、15、20、当忽略基区中的少子复合及ICEO时，0102实质上是ICS。STEP2STEP1使NBNC，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。为提高穿通电压Vpt，应当增大WB和NB，但这恰好与提高β相矛盾。解决方法：当IE很小时，这时α0α；在正常的IE范围内，α几乎不随IE变化，这时当IE很大时，这时α0α；在IE很小或很大时，α都会有所下降。β0与β也有类似的关系。010305020406