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穷则独善其身，达则兼善天下。——《孟子》
第三章MOS逻辑门电路
场效应管的英文缩写是FET
场效应管又称为单极型晶体管，三极管又称为双极型晶体管。（为什么三极管又叫做双
极型三极管？答：因为载流子有电子和空穴两种载流子）所以，晶体管包括三极管和场效
应管。
场效应管分为：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管(IGFET)，其中采用SiO2
为绝缘层的绝缘栅型场效应管称为：金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）
增强型N沟道MOSFET简称为（E-NMOSFET），有三个极：源极S、漏极D、栅极
G
E-NMOSFET的栅极不加电压时，由于P型衬底与两个N区形成两个背靠背的PN
结，因此，不管漏极与源极之间外加电压V的极性如何，总有一个PN结反偏，所以漏极
DS
与源极之间没有导电沟道，漏极电流i0。
D
iV
MOSFET的输出特性是与之间的关系，输出特性曲线分成3个区：可变电阻区、
DDS
VVV
恒流区（饱和区）、截止区（夹断区）。其中：可变电阻区与恒流区的分界线是：=
DSGSGS(th)
时，此时，FET刚好处在预夹断状态，预夹断以后，FET工作在恒流区。
增强型N沟道场效应管电流从漏极D流入，源极S流出，增强型P沟道场效应管电
流从源极S流入，从漏极D流出。
穷则独善其身，达则兼善天下。——《孟子》
场效应管电路的分析要比三极管简单，因为：场效应管的漏极电流=源极电流。
根据场效应管的输出特性曲线，采用非线性电路的图解分析方法，我们得出：要使FET
工作在可变电阻区，在漏极外接电阻和电源不变的情况下，只要增大栅极电压V即可。另
GS
外，在V不变、漏极外接电源不变的情况下，漏极外接电阻变大，也能够使得FET进入可
GS
变电阻区。
CMOS门电路的系列：
扇入系数：门电路输入端的个数，例如一个三输入端的与非门，其扇入系数为3。
扇出系数：门电路能够驱动同类型门电路的数目。
穷则独善其身，达则兼善天下。——《孟子》
拉电流：当驱动门的输出端为高电平时，将有电流I从驱动门流出(称为拉电流)而流
OH
入负载门，负载门的输入电流为I，当负载门的个数增加时，总的拉电流将增加，会引起
IH
驱动门输出高电压的降
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