高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 .pdfVIP

第39卷第4期液晶与显示Vol.39No.4

2024年4月ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplaysApr.2024

文章编号：1007-2780（2024）04-0447-19

高迁移率金属氧化物半导体薄膜

晶体管的研究进展

*

李强，葛春桥，陈露，钟威平，梁齐莹，柳春锡，丁金铎

中山智隆新材料科技有限公司，广东中山528459

（）

摘要：基于金属氧化物半导体（MOS）的薄膜晶体管（TFT）由于较高的场效应迁移率（μ）、极低的关断漏电流和大面积

FE

电性均匀等特点，已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究，非晶铟镓锌氧化物

（a-IGZO）率先替代非晶硅（a-Si）在TFT中得到推广应用。然而，为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性

能（如高分辨率、高刷新率等）和更低功耗等多元升级要求，需要迁移率更高的MOSTFTs技术。本文从固体物理学的

角度，系统综述了MOSTFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展，并讨论了迁移率与器件稳定性之间的

关系。最后，总结展望了MOSTFTs的现状和发展趋势。

关键词：金属氧化物半导体；薄膜晶体管；场效应迁移率；偏压稳定性

中图分类号：TN321+.5文献标识码：Adoi：10.37188/CJLCD.2024-0032

Researchprogressofhighmobilitymetaloxidesemiconductor

thinfilmtransistors

LIQiang，GEChunqiao*，CHENLu，ZHONGWeiping，LIANGQiying，LIUChunxi，DINGJinduo

ZhongshanZhilongNewMaterialTechnologyCo.Ltd.，Zhongshan528459，China

（）

Abstract：Thin-filmtransistor（TFT）basedonmetaloxidesemiconductor（MOS）hasbecomeakey

field-effectmobility（μ），extremelylowcut-offleakagecurrentandgoodlarge-areaelectricaluniformity.

FE

Aftermorethan30yearsofresearch，amorphousindiumgalliumzincoxide（a-IGZO）isthefirsttobe

popularizedinTFTbyreplacingtheamorphoussilicon（a-Si）.However，inordertosimultaneouslymeet

themultipleupgraderequirementsofthedisplayindustryforhigherproductivity，betterdisp