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好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》
作业一
1.在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中，先在下层薄
膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件，再用化学刻蚀剂将此层
薄膜腐蚀掉，但不损伤微结构件，然后得到上层薄膜结构（空腔或微
结构件）。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用，故称其为牺牲层。
a)淀积一层牺牲层；
b)淀积一层结构层；
c)匀胶、光刻、蚀刻，将结构层图形化；
d)淀积一层牺牲层；
e)匀胶、光刻、蚀刻，将中心部分的牺牲层图形化；
好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》
f)淀积一层结构层；
g)经过匀胶、光刻、蚀刻等流程，将结构层图形化；
h)利用腐蚀的方法去掉牺牲层，保留了结构层，得到微马达。
2.或非门
T1、T2为PMOS，当输入电平为低电平时导通。T3、T4为NMOS，
当输入电平为高电平时导通。导通状态用√表示，非导通状态用×表
示。
IN1IN2T1T2T3T4OUTPUT
00√√××1
01√××√0
10×√√×0
11××√√0
好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》
作业二
1.对于一个NA为0.6的投影曝光系统，计算其在不同曝光波长下的
理论分辨率和焦深，并作图。设k=0.6，k=0.5（均为典型值）。
12
图中的波长范围为100nm到1000nm（DUV和可见光）。在你画的
图中，标示出曝光波长g线436nm，i线365nm，KrF248nm，
ArF193nm。根据这些简单计算，考虑ArF源是否可以达到0.13μm
和0.1μm级的分辨率？
答：
根据这些计算可知ArF(193nm)的分辨率不能达到0.13µm和
0.1μm级。可以采用其他先进技术,如相移掩膜、离轴照明等,ArF将
有可能达到0.13µm或者0.1µm级别。
好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》
2.一个X射线曝光系统，使用的光子能量为1keV，如果掩膜板和硅
片的间隔是20μm，估算该系统所能达到的衍射限制分辨率。
答：1keV光子能量对应的波长为
X射线系统是接近式的曝光系统，所以分辨率为
3.对于157nmF准分子激光的光学投影系统：
2
a.假定数值孔径是0.8，k=0.75，使用分辨率的一级近似，估
1
算这样的系统能达到的分辨率。
b.这样的系统的实际投影结果表明，它们有能力分辨0.07μm
尺寸的特征。请建议3种使此类系统可以实现上述分辨率的方案。
答：a）简单的分辨率公式：
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