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芯片制造工艺流程9个步骤
芯片制造工艺流程9个步骤：
1.晶圆清洗：硅晶圆表面必须清洁无尘，通常采用气相清洗、
化学腐蚀、超纯水清洗等方法。
2.晶圆沉积：采用化学气相沉积或物理气相沉积等技术，在晶
圆表面沉积一层硅氧化物等材料，用于绝缘、隔离等功能。
3.光刻：通过光刻机将芯片电路的图形投影到晶圆表面，用于
制造电路的图形结构。
4.电镀或蚀刻：将光刻后未覆盖图形部分的表层材料进行电镀
或蚀刻处理，用于形成电路图形结构。
5.清洗：将蚀刻后的晶圆表面进行清洗处理，去除残留的光刻
胶和蚀刻液等杂质。
6.注入杂质：通过扩散或离子注入等技术在晶圆表面注入杂
质，形成半导体材料的导电区和绝缘区。
7.退火：通过高温处理，使晶圆中的半导体材料达到稳定状
态。
8.金属沉积：将金属氧化物等材料沉积在晶圆表面，形成导
线、电极等。
9.封装：将芯片进行封装，以便在实际应用中使用。
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