未来芯片制造尺度水平可达到45nm .pdfVIP

维普资讯

现代材料动态２００４年第１０期

仅排出水的燃料电池车在环保方面更胜一筹。

丰田、本田已通过长期租赁的方式销售了燃料电池车的成品，在商品化方面迈出了领

先的一步。该车的市场售价，一辆车达数亿日元。

不论是氢气旋转引擎车，还是燃料电池车，如何调整氢气的供给体制是各制造商普遍

面临的问题。有观点认为氢气供给站要达到像汽油站的密集度，同时可以提供普通消费者

使用，至少还需要２Ｏ年。

未来芯片制造尺度水平可达到４５ｎｍ

世界最大芯片生产商美国英特尔公司已采用最先进的６５ｎｍ芯片制造工艺生产出了储

存量为７０Ｍ的静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）芯片。该公司宣布，下一代纳米芯片制造技

术水平将达到４５ｎｍ。

作为半导体工业新技术商业化常用的测试元器件，静态存取记忆器在逻辑制造方面的

技术可以用于制造微处理器。使用６５ｎｍ制造工艺可将晶体管尺寸缩小约３０％，可以在一

块芯片上集成更多晶体管。这种新工艺为英特尔将来推出多内核电脑中央处理器芯片以及

开发视频和安全等方面的新功能奠定了基础，它可以提高芯片性能，具有节能等特点。美

国俄勒冈州的芯片制造厂明年准备率先利用６５ｎｍ新技术大规模生产芯片。

６５ｎｍ芯片制造技术的成功将再次使英特尔芯片龙头老大的地位更为稳固。此前，不少

芯片制造商试图开发９０ｎｍ与６５ｎｍ尺度的芯片制造新技术，但终因成本昂贵不得不放弃。

新一代的０．１３１ａｍ，相当于１３０ｎｍ芯片试生产的成本就高达８Ｏ万美元。很少有集成电路方

面的设计公司能承担得起。

利用纳米新材料技术，芯片的集成度将再次出现倍数增长。英特尔的纳米芯片新制造

技术持续验证了半导体界经典的“摩尔定律”的有效性。“摩尔定律”曾由英特尔公司创办

人摩尔提出，即芯片的集成度每１８个月就会增加一倍。在此之前，“摩尔定律”受到传统

半导体材料极限的限制。

日本开发成功新型有机ＬＥＤ导电材料

日本保土谷化学工业和信州大学纤维系联合开发出了用于有机ＬＥＤ元件的导电材料。

作为一种导电材料，与过去普遍使用的铝络合物相比，此次开发的产品属于纯有机材料，

不仅耐用性更好，而且还可将有机ＬＥＤ的电压降到一半。另外，与使用铝络合物时相比，

同样在实现高亮度电视机所要求的发光亮度条件下，其耗电量可降低７０％。

我科学家在纳米热电材料上获重大突破

在“８６３”计划纳米专项的资助下，浙江大学采用水热方法，在ＩＯ０￣Ｃ以上的密封高压

体系和ｌＯ０Ｃ＂以下的敞开体系中，分别合成了Ｂｉ：Ｔｅ纳米空心管和纳米空心囊。在澳大利

亚的第２３届国际热电会议上，首先报道了这一新型Ｂｉ：Ｔｅ纳米结构。

热电材料是一种利用固体内部载流子运动实现热能和电能直接相互转换的功能材料，

其性能用“热电优值”Ｚ＝ａ２ｓ／ｋ表征，其中口是温差电势系数，是电导率，ｋ是热导率。

在保持足够高的口和Ｓ值的前提下，最大幅度地降低声子对ｋ的贡献是提高热电材料性能

的关键。近年来国内外在这方面的研究主要集中在一些具有点阵结构空位的新型化合物（如

Ｓｋｕａｅｒｕｄｉｔｅ和ａｔｈｒａｔｅ类化合物），以及纳米低维材料（如一维纳米线阵列、超品格薄膜等）。

在这些低维纳米材料中，由于纳米管具有许多特殊的输运特性，一直是凝聚态物理和材料