《电工电子技术 》课件_第6章 半导体二极管及其应用电路.ppt

6.3场效应管图6.21N沟道增强型场效应管特性曲线（a）转移特性（b）输出特性6.3场效应管6.3.3场效应管的主要参数及使用1．主要参数(1)夹断电压UGS（off）或开启电压UGS（th）6.3场效应管(2)饱和漏极电流IDSS当uDS为某固定值时,栅源电压为零时的漏极电流称为饱和漏极电流IDSS。?6.3场效应管（3）栅源击穿电压U（BR）GS使二氧化硅绝缘层击穿时的栅源电压叫做栅源击穿电压U（BR）GS,一旦绝缘层击穿,将造成短路现象,使管子损坏。（4）直流输入电阻RGSRGS是指栅、源间所加的一定电压与栅极电流的比值。因为MOS管栅、源极之间存在SiO2绝缘层，故RGS数值很大，在1010Ω左右。6.3场效应管（5）最大耗散功率PDMPDM是管子允许的最大耗散功率,类似于半导体三极管中的PCM,是决定管子温升的参数。使用时,管耗功率PD不允许超过PDM,否则会烧坏管子。（6）跨导gm在uDS为定值的条件下,漏极电流变化量与引起这个变化的栅源电压变化量之比,称为跨导或互导。6.3场效应管6.3.3场效应管的主要参数及使用2．场效应管使用注意事项6.3场效应管使用场效应管除了要根据管子的性能参数来选择外，应用中尤其要注意以下两点。（1）MOS管的输入电阻极大，极间电容很小，栅极所感应的静电电荷不易释放，可能会形成很高电压将绝缘层击穿，造成管子的永久性损坏。因此，保存时各极需短接，使用时栅极不能开路，在电路设计中，要保持栅极与源极之间有直流通路。焊接管子时要注意防止静电损坏。6.3.3场效应管的主要参数及使用2．场效应管使用注意事项6.3场效应管（2）MOS场效应管中，有些产品将衬底引出（四脚），用户可以根据需要正确连接。此时，漏极与源极可互换使用。三个引脚的MOS管，其内部已将衬底与源极短路，故漏极与源极不能互换使用。****6.2半导体三极管6.2.1三极管的结构与分类1．三极管的结构与电路符号三极管的结构示意图如图6.16（a）所示,它是由三层不同性质的半导体组合而成的。按半导体的组合方式不同，可将其分为NPN型管和PNP型管。图6.16三极管的结构示意图与电路符号（a）NPN型结构示意图(b)PNP型结构示意图（c）NPN型电路符号(d)PNP型电路符号6.2半导体三极管无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三个区:发射区、基区、集电区。这三个区的作用分别是：发射区是用来发射载流子的，基区是用来控制载流子的传输的，集电区是用来收集载流子的。从三个区各引出一个金属电极，分别称为发射极（e）、基极（b）和集电极（c）；同时在三个区的两个交界处分别形成两个PN结,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区之间形成的PN结称为集电结。三极管的电路符号如图6.16（c）、(d)所示,符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。6.2半导体三极管由于三极管三个区的作用不同，三极管在制作时,每个区的掺杂及面积均不同。其内部结构特点是:(1)发射区的掺杂浓度高;(2)基区做得很薄,且掺杂浓度低;(3)集电结面积大于发射结面积。以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。6.2半导体三极管2.1.2三极管的电流分配与放大作用三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。图6.17（a）是为NPN管提供偏置的电路,UBB通过Rb给发射结提供正向偏置电压（UB＞UE）,使之形成发射极电流IE和基极电流IB；UCC通过Rc给集电结提供反向偏置电压（UC＞UB），使之形成集电极电流IC。这样，三个电极之间的电压关系为：UC＞UB＞UE,实现了发射结的正向偏置,集电结的反向偏置。图6.17(b)为PNP管的偏置电路,和NPN管的偏置电路相比,电源极性正好相反。同理,为保证三极管实现放大作用,则必须满足UC＜UB＜UE。6.2半导体三极管图6.17三极管具有放大作用的外部条件（a）NPN型结构示意图(b)PNP型结构示意图6.2半导体三极管三极管各电极电流分配关系可用下图所示的电路进行测试。电流分