DB32T 4894-2024 微机电系统半导体气体传感器性能检测方法.docx

ICS31.080

CCSL40

江苏省地方标准

DB32/T4894—2024

微机电系统半导体气体传感器性能检测方法

Testmethodforperformanceofmicro?electromechanicalsystemssemiconductorgassensor

2024-11-07发布 2024-12-07实施

江苏省市场监督管理局 发 布

中国标准出版社 出 版

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DB32/T4894—2024

Ⅲ

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Ⅰ

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目 次

前言 Ⅲ

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

试验条件 1

检测方法 2

检测报告 5

附录A（资料性）测试箱装置介绍与气体配制方法 6

参考文献 8

前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由江苏省纳米技术标准化技术委员会提出、归口并组织实施。

本文件起草单位：苏州市计量测试院、苏州慧闻纳米科技有限公司。

本文件主要起草人：史苏娟、方丹、耿彦红、王瑞、董亮华、徐春、王震、孙旭辉。

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微机电系统半导体气体传感器性能检测方法

范围

本文件规定了微机电系统半导体气体传感器性能检测的试验条件、检测方法及检测报告。本文件适用于微机电系统半导体气体传感器的性能检测。

规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

微机电系统micro?electromechanicalsystems；MEMS基于微纳制造技术制备的功能结构、器件构成的系统。[来源：GB/T26111—2023，3.1.1]

半导体气体传感器 semiconductorgastransducer/sensor

利用半导体材料的电导率变化，将感受的气体转换成可用输出信号的传感器。

注：包括表面电导式传感器和体电导式传感器。

[来源：GB/T7665—2005，3.3.1.1，有修改]

传感器检测装置 sensortestmodule

用于将传感器特性转换为输出信号的测试装置。

[来源：GB/T34004—2017，3.5]

试验条件

环境条件

实验室内环境条件应符合以下要求：

环境温度：15℃~35℃，试验过程中温度波动不应超过±2℃；

相对湿度：25 ~80 ，试验过程中相对湿度波动不应超过±5 ；

大气压力：86kPa~116kPa。

试验设备

试验设备应符合以下要求：

秒表：分度值不大于0.1s；

功率计：功率0W~10W，分辨力0.1mW，最大允许误差：±10 ；

电压表：直流电压0V~50V，准确度级别优于1.0级；

测试箱：测试箱内部结构及气体配制方法参照附录A。

样品准备

试验前通过目视、拍照等方法检查传感器表面，应无腐蚀、起泡现象，无明显划伤、裂痕、毛刺等机械损伤。

试验前待试验的样品应在4.1规定的环境条件下通电预热后方可进行检测，预热时间以产品使用说明书为准。

传感器送检时同时提供检测装置，在测试传感器信号输出时把传感器安装在该装置上进行试验。

样品检测项目与样品编号对应表见表1。完成全部检测项目需要的样品数量为8只，试验前应对样品予以编号。具体样品数量根据检测项目与客户协商确定。

表1 检测项目与样品编号对应表

序号

章条编号

检测项目

传感器编号

1

2

3

4

5

6

7

8

1

5.1

功率

√

√

—

—

—

—

—

—

2

5.2

传感器最低检测浓度

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√

√

√

√

√

√

3

5.3

传感器灵敏度

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√

√

√

√

√

√

√

4

5.4

传感器检测误差

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√

√

√

√

√

√

√

5

5.5

响应时间与恢复时间

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√

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√

√

√

√

6

5.6

漂移

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√

—

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—

—

—

—

7

5.7

抗干扰气体性能

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—

√

√

—

—

—

—

8

5.8

抗硅中毒性能

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—

√

√

—

—

—

—

9

5.9

耐高温性能

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—

—

—

√

√

—

—

10

5.10

耐低温性能

—

—

—

—

√

√

—

—

11

5.11

耐恒定湿热性能

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—

—

—

√

√

—

—

12

5.12

耐振动性能

—

—

—

—

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—

√

√

13

5.13

耐跌落性能

—

—

—

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—

—

√

√