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拓荆科技，竞争与突围

晶圆制造环节中三大核心设备分别是光刻、刻

蚀、薄膜沉积，光刻机迟迟无法突破情况下，刻蚀

与薄膜沉积设备率先完成了突破，作为薄膜沉积

设备行业里的急先锋，拓荆科技在这场攻坚战中理不同，薄膜沉积设备可分为化学式真空镀膜（CVD）、

立下了汗马功劳。物理式真空镀膜（PVD）和原子层沉积（ALD）。

自成立以来，历经两任董事长为核心的团队不懈努

■本刊记者/季生力下，公司先后承担了“90-65nm等离子体增强化学气相

沉积设备研发与应用”“1xnm3DNANDPECVD研发

及产业化”等七项国家重大科技专项/课题，不断攻克技

术难点、优化薄膜工艺，在薄膜沉积设备领域里形成一

系列技术成果，最终成为国内唯一一家产业化应用的集

随成电路PECVD、SACVD设备厂商。

着人工智能、新能源及5G的快速发展，芯片产业通过自身持续研发和客户实际环境验证双结合方

作为高科技产业代表的核心，已经成为当下经济式，经过多年发展，公司在薄膜沉积领域里已开发出一

至关重要的一环，然而，该领域的短板效应在国内却非系列具备国际竞争力水平的高端设备。主要产品包括

常明显。由于复杂多变的国际环境以及西方国家技术封等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉

锁和制裁的影响，国内的芯片产业面临着巨大的挑战，积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备

科技发展速度受到了抑制。如何实现突破，已经成为现三个产品系列。产品能够适配目前28/14nm逻辑芯片、

阶段急切解决的问题。19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆

中国目前是全球最大的半导体消费和需求增速最制造产线，2.5D、3D先进封装及其他泛半导体领域。目

快的市场，集成电路作为半导体产业的重要构成部分，前国内具备最先进制程能力的是中芯国际（688981.SH）

占据着80%以上份额。庞大的市场需求让相关设备也出14nm逻辑芯片，也就是说公司在薄膜沉积设备领域里可

现了量能的爆发，其中主要有光刻设备、刻蚀设备、薄膜以实现了国产替代，并且已经开展10nm及以下制程产品

沉积设备、离子注入设备等等。然而，国产设备中存在众的验证测试工作，有望实现国产替代的同时，开拓海外

多被卡脖子环节，比如薄膜沉积设备，经过多年发展，拓市场（表1）。

荆科技（688072.SH）在薄膜沉积设备上实现了跨越式突拓荆科技三次获得中国半导体行业协会颁发的“中

破，在关键卡脖子领域里助力国家实现国产自主可控。国半导体设备五强企业”称号，成为国内半导体先进设

备领域里的领军企业，其成功的背后离不开公司对人

护城河才、研发投入的重视。

在专业团队和中科院所合作下，拓荆科技于20