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第三代半导体碳化硅
投资研究专题报告
陈鹤
2023年
（内部资料，注意必威体育官网网址）
1第三代半导体碳化硅行业概览2
2碳化硅产业链分析11
目录2.1产业链各环节介绍13
CONTENTS
2.2下游应用市场分析41
2.3产业链供给端分析124
3投资分析和相关建议237
4附录：功率半导体器件介绍285
目录
一、第三代半导体碳化硅行业概览
第三代半导体发展历程
第三代半导体前景判断：技术分析
第三代半导体前景判断：社会需求与市场分析
第三代半导体前景判断：政策分析
二、碳化硅产业链分析：下游应用市场与产业链供给端分析
三、投资分析和相关建议
3
1.1三代半导体发展历程
第一代半导体第二代半导体第三代半导体
元素半导体材料：硅基、锗基化合物半导体材料：砷化镓、磷化铟宽禁带半导体材料：碳化硅、氮化镓
材料特性
储量大、价格低、功耗低禁带宽度、电子迁移率高、光电性能好宽禁带宽度、高击穿电场强度
高频、高速、大功率、高性能微波器件
器件特征低压、低频、中功率器件高频、高温、高压、大功率器件
激光器、发光电子器件
卫星通讯、移动通讯、光纤通信新能源汽车、光伏风电、半导体照
手机、电脑、通信、航空航天
应用场景无限区域网络、卫星定位明、5G基站、充电桩、特高压、光
国防军工、光伏等领域
国防军工、航空航天等领域电子等领域
183320世纪50、60年代20世纪90年代后21世纪以来
4
1.2.1第三代半导体前景判断：技术分析
1第三代半导体核心特点：宽禁带宽度项目SiGaAs4H-SiCGaN
晶体结构分析禁带宽度(eV)1.121.433.2
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