电工与电子技术（第3版）.pptVIP

8.1.2特殊二极管2.发光二极管—是用特殊的半导体材料，如砷化镓等制成的。砷化镓半导体幅射红光，磷化镓半导体幅射绿光或黄光。发光二极管正常工作时，当工作电流为10mA～30mA左右时，正向电压降大约为1.5～3V。使用时发光二极管必须加正向电压。为了防止发光二极管烧坏，回路中必须加限流电阻。其它用途的二极管还有检波二极管、开关二极管、光电二极管、变容二极管等。1.稳压二极管—硅稳压管主要工作在反向击穿区域，在击穿区域中硅稳压管两端的电压基本不变而流过管子的电流变化很大，只要在外电路中采取适当的限流措施，保证管子不因过热而烧坏，就能达到稳压的效果。稳压管的主要参数有：1）稳定电压UZ是稳压管的反向击穿电压。2）稳定电流IZ是稳压管的正常工作电流。3）最大电流IZM是允许流过稳压管的最大工作电流。4）最大耗散功率PZM是稳压管的最大功率损耗，其值为PZM=UZ×IZM。8.1.3二极管的识别和检测用万用表R×100Ω或R×1kΩ档测量二极管正反向电阻，阻值较小的一次，二极管导通。由于使用电阻档黑表笔是高电位，故黑表笔接触的是二极管正极。2．稳压管极性判别稳压管是利用其反向击穿时两端电压基本不变的特性来工作的，所以稳压管在电路中是反偏工作的。稳压管的极性和好坏的判断与普通二极管所使用的方法相同。要注意的是，不要使用R×10kΩ档，因为万用表电阻值最高档常使用高压层叠电池（如9V、15V、22.5V）。1．普通二极管极性判别和性能检测通常小功率锗管正向电阻在200Ω～600Ω之间，硅管在900Ω～2kΩ之间，利用这一特性可以区别出硅、锗两种二极管。锗管反向电阻大于20kΩ即可符合一般要求，而硅管反向电阻都要求在500kΩ以上，小于500kΩ都视为漏电严重，正常硅管测其反向电阻时，万用表指针都指向无穷大。另外，二极管正、反向电阻相差越大越好，阻值相同或相近都视为坏管。8.2半导体三极管8.2.1半导体三极管8.2.2场效应管8.2.3三极管的识别和检测8.2.1半导体三极管1.半导体三极管的结构和符号（1）三极管放大的外部条件—要给三极管的发射结加正向电压，给集电结加反向电压。对NPN管，三个电极的电位关系是UCUBUE；对PNP管，三个电极的电位关系是UCUBUE。（2）三极管电流分配：IE=IC+IB；β=IC/IB（3）三极管电流放大作用—大电流IC受小电流IB控制。三极管有三个导电区，中间的一个区称为基区，由此引出基极b。两边分别是发射区和集电区，分别引出发射极e和集电极c。发射区是发射载流子的，集电区是收集载流子的。三极管的图形符号如图所示，其中发射极箭头方向表示发射结正向偏置时电流的方向，因此从它的方向即能判断管子是NPN型还是PNP型。如果两边是N区而中间夹着P区就称为NPN型三极管；如果两边是P区而中间夹着N区，称为PNP型三极管。2.半导体三极管的电流放大作用8.2.1半导体三极管3.半导体三极管的特性曲线（1）输入特性是指当UCE一定时IB与UBE之间的关系曲线。三极管的输入特性是非线性的，与二极管正向特性相似，也有一段死区（硅管约4.半导体三极管的三种工作状态（1）放大区①条件—发射结正偏和集电结反偏。②特点—IB不变时IC基本不变，即具有恒流特性；IB改变IC随之改变，表明IC受IB控制，具有电流放大作用。（2）截止区①条件—发射结反偏和集电结反偏。②特点—IB=0时，IC=ICEO≈0；三极管相当于开关的断开。（3）饱和区①条件—发射结正偏和集电结反偏。②特点—IC随UCE的增大而增大饱和时其管压降UCE称为饱和压降UCES，UCES很小，一般小功率的硅管约0.3V，锗管约0.1V，因此三极管相当于开关的接通。0.5V，锗管约0.1V）。当三极管正常工作时，发射结导通电压（硅管约0.6～0.7V，锗管约0.2～0.3V）。由图可知，当UCE增大时曲线向右移，但大于2V后曲线重合。（2）输出特性是指当IB一定时IC与UCE之间的关系曲线。三极管的输出特性是与二极管反向特性相似的一组曲线族，可分为放大区、饱和区和截止区三个工作区域。5.半导体三极管的主要参数（1）共发射极交流电流放大系数?和直流电流放大系数。（2）集电极-发射极穿透电流ICEO因为ICEO不受IB控制，同时ICEO明显随温度变化，所以希望ICEO愈小愈好，以免影响放大电路的