氧化镓-二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN113972262A

(43)申请公布日2022.01.25

(21)申请号CN202111209155.2

(22)申请日2021.10.18

(71)申请人西安邮电大学

地址710121陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学

(72)发明人王湛刘朋源孙静关云鹤刘翔泰陆琴王少青贾一凡陈海峰马晓华

(74)专利代理机构61211西安智邦专利商标代理有限公司

代理人王少文

(51)Int.CI

H01L29/06

H01L29/24

H01L29/739

H01L31/032

H01L31/0352

H01L31/101

H01L31/112

H01L31/18

H01L21/34

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

氧化镓-二维P型范德华隧穿晶体

管、双波段光电探测器件及制备方法

(57)摘要

本发明具体涉及氧化镓‑二维P型

范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件

及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管

/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺

杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制

的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问

题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电

极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接

触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成

欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化

层；氧化镓层与P型二维材料层部分交叠

形成异质结；氧化镓层为非故意掺杂或掺

杂的Ga2O3准二维晶体薄膜；P型二维材

料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼

或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外，本发

明还提出上述晶体管、双波段光电探测器

件的制备方法。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2022-02-15实质审查的生效实质审查的生效

2022-01-25公开公开

2023-06-13授权发明专利权授予

权利要求说明书

【氧化镓-二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法】的权利

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说明书

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