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CSTM-发动机缸体金属磁记忆检测方法编制说明.docxVIP

CSTM-发动机缸体金属磁记忆检测方法编制说明.docx

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《无损检测发动机缸体金属磁记忆检测方法》团体标准编制说明

一、工作简况

1.任务来源

本标准经中国材料与试验团体标准委员会(以下简称:CSTM标准委员会)无损检测技术及设备领域委员会审查,CSTM标准委员会批准《无损检测发动机缸体金属磁记忆检测方法》立项,标准项目归口管理委员会为CSTM/FC94无损检测技术及设备领域委员会,标准计划编号为CSTMLX940000417-2020,由爱德森(厦门)电子有限公司牵头承担《无损检测发动机缸体金属磁记忆检测方法》团体标准的制定工作。

2.标准制定的背景和目的

通过金属磁记忆检测方法对再制造发动机缸体表面涂层质量和服役寿命评估,保证再制造产品的性能质量,促进再制造行业的健康发展。便于再制造行业使用金属磁记忆检测方法判定再制造发动机缸体的应力集中区,给出设备疲劳损伤的早期诊断,进行寿命评估,控制产品质量。

制定本标准,可以规范再制造发动机缸体的金属磁记忆检测的一般规则与方法,根据当前技术水平发展需要,确保标准的先进性和实用性,推动再制造发动机缸体的金属磁记忆检测技术的应用。

3.工作主要过程

按照中国材料与试验团体标准委员会标准制修订程序的要求,《无损检测发动机缸体金属磁记忆检测方法》团体标准的编制完成了以下工作:

(1)起草阶段:

CSTM/FC94无损检测技术及设备领域委员会针对《无损检测发动机缸体金属磁记忆检测方法》组建成立了标准起草工作组,确定了标准编写原则和分工,提出标准编制进度安排。计划下达后,成立了以爱德森(厦门)电子有限公司为主要起草单位的编制小组,编制了标准工作组讨论稿。2020年8月通过网络形式召开了标准起草工作会议,会上经过充分讨论和商议,确定组建标准起草工作组单位,标准编写原则和分工,对标准工作组讨论稿的内容进行了细致的讨论,并形成修改意见。会后,工作组全体成员之间通过邮件、微信、腾讯会议等方式进行多次沟通协商、反复修改,于2020年12月形成标准征求意见稿及编制说明,提交秘书处。

(2)征求意见阶段:

2021年4月16日至17日在山东省济南市召开2021年度第一次标准审议会,审查标准征求意见稿。会后,工作组全体成员之间通过邮件、微信、腾讯会议等方式进行多次沟通协商、反复修改,于2021年5月形成标准征求意见稿及编制说明,提交秘书处公开征求意见。

4.主要参加单位及工作组成员

本标准起草单位:爱德森(厦门)电子有限公司、装甲兵工程学院、南昌航空大学、西安交通大学、中国特检院。

本标准主要起草人:董世运、宋凯、林俊明、陈振茂、胡斌。

二、标准化对象简要情况及制修订标准的原则

1.标准化对象简要情况

本标准规定了再制造发动机缸体的金属磁记忆检测方法。适用于再制造发动机缸体的寿命评估,诊断其应力集中与早期疲劳损失状态。

2.制修订标准的原则

(1)制修订标准的依据或理由

依据中国材料与试验团体标准制修订管理细则、中关村材料试验联盟团体标准管理办法(试行)制定本标准,规范再制造发动机缸体的金属磁记忆检测方法。

(2)制修订标准的原则

本标准编制遵循经济社会发展需求原则、技术先进和经济合理原则、适应贸易全球化需求原则、维护公众利益原则、协商一致原则、广泛参与和公开透明原则。

本标准在结构编写和内容编排等方面依据GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》进行编写。

三、采用国际标准和国外先进标准的情况

在标准的制定过程中,查阅了大量的国内外有关标准及相关文献,发现并无可直接借鉴的国外和国内标准,因此,需要制定发动机缸体金属磁记忆检测方法。

四、标准主要内容

本标准主要包括:

1范围

2规范性引用文件

3术语和定义

4总则

5人员要求

6缸体磁记忆检测方法的应用

7检测前的准备

8检测设备

9检测

10检测结果的评价

11检测记录与报告

五、主要试验(或验证)结果的分析、综述报告、技术经济论证,预期的经济效果等

1) 主要试验(或验证)结果的分析、综述报告

再制造技术以废旧产品的零部件为毛坯,利用先进的表面工程技术为手段进行修复改造的技术。寿命评估通过对废旧零部件的剩余寿命评估,回答废旧零部件能否再制造、剩余寿命是否足够的问题,是保证再制造毛坯质量的重要途径。寿命预测通过对再制造产品表面涂层质量和服役寿命评估,保证再制造产品的性能质量。再制造无损检测评价技术对废旧零部件损伤状态的无损检测与评估技术,包括涡流、超声、金属磁记忆等无损检测技术。如图1所示为再制造过程中的金属磁记忆和涡流集成无损检测。

图1再制造过程中的金属磁记忆和涡流集成无损检测

在进行磁记忆检测过程中,对磁场强度随扫描距离变化的图形和磁场梯度随扫描距离变化的图形进行分析,凡是有磁场强度和梯度突变的部位,即定义为磁记忆信号的异常部位。

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