利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法 .pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN102674373A

（43）申请公布日2012.09.19

（21）申请号CN201210169841.6

（22）申请日2012.05.28

（71）申请人上海华力微电子有限公司

地址201203上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

（72）发明人江润峰

（74）专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人陆花

（51）Int.CI

C01B33/12;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法

（57）摘要

本发明提供了一种利用正硅酸乙酯制备二

氧化硅的设备及方法。正硅酸乙酯反应腔与泵相

连，正硅酸乙酯反应腔通过第一气体流量计连接

至正硅酸乙酯气体源；并且，在正硅酸乙酯气体

源与第一气体流量计之间的运气管路上布置了第

一加热保护套，在正硅酸乙酯反应腔与第一气体

流量计之间的运气管路上布置了第三加热保护

套；而且，所述第一加热保护套C1的温度被设定

为100℃，所述第三加热保护套的温度被设定为

高于100℃，例如120℃。本发明将靠近正硅酸乙

酯气体源的加热保护套的温度设定为100℃，靠

近正硅酸乙酯反应腔的加热保护套的温度设定为

更高温度；由此防止气体在靠近正硅酸乙酯反应

腔的管路中的凝聚，达到了即保护密封圈，又减

少颗粒的目的。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2012-09-19公开公开

2012-11-14实质审查的生效实质审查的生效

2014-01-29授权授权

权利要求说明书

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说明书

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