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ESDA6V1M6,ESDA6V1-5M6
4-and5-lineTransil™arraysforESDprotection
Features
■HighESDprotectionlevel
■Highintegration
■Suitableforhighdensityboards
■4unidirectionalTransildiodesMicroQFNpackage
(ESDA6V1M6)
■5unidirectionalTransildiodes
(ESDA6V1-5M6)Figure1.Functionaldiagram
■BreakdownVoltageVBR=6.1VminESDA6V1M6
■Highpeakpowerdissipation:
100Watts8/20µsI/O116I/O5
■Lowleakagecurrent500nA
GND25GND
■Lowdiodecapacitance(70pFtypat0V)
²I/O234I/O3
■VerysmallPCBarea:1.45mm
■500micronspitch
■Lead-freepackageESDA6V1-5M6
Complieswiththefollowingstandards:I/O116I/O5
■IEC61000-4-2
GND25I/O4
–15kV(airdischarge)
–8kV(contactdischarge)I/O234I/O3
■MILSTD883G-Method3015-7:class3B
–8kV(humanbodymodel)
Description
ApplicationsTheESDA6V1xxM6aremonolithicarrays
WheretransientovervoltageprotectioninESDdesignedtoprotectupto4or5linesagainstESD
sensitiveequipmentisrequired,suchas:transients.
■Computers
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