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摘要
以InGaAs作为材料的半导体器件因为有着可在室温下工作、成本低、稳定性好、高性能等优点在光通讯领域有着广泛的应用。InGaAs红外探测器可完美工作在1~3μm的短红外波段。本论文为了进一步扩展对短波红外InGaAs红外探测器的了解应用，了解了先进的光刻技术，设计了双波段InGaAs探测器的七套光刻掩模版。第一套掩模版用作扩散孔以及隔离环的光刻，第二套掩模版用作N阱的光刻，第三套掩模版用作P电极孔的光刻，第四套掩模版用作P电极生长，第五套掩模版用作开N孔，第六套掩模版用作电极的光刻，第七套掩模版用作铟柱生长。其中，扩散孔长宽18μm，每个光敏元之间的间距
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