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β-Ga2O3薄膜异质外延及氢等离子体处理研究

β-Ga2O3是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。

为了进一步提高其性能，研究人员对β-Ga2O3薄膜的异质外延和

氢等离子体处理进行了深入研究。

首先，研究人员利用分子束外延技术在Al2O3衬底上成功生

长出β-Ga2O3薄膜。通过优化生长条件，他们得到了具有良好结

晶质量和平整表面的薄膜。这些薄膜具有高晶格匹配度和较低的

缺陷密度，能够提高器件的性能。

接下来，研究人员对β-Ga2O3薄膜进行了氢等离子体处理。

他们发现，经过氢等离子体处理后，薄膜的载流子浓度显著增加，

电阻率降低。这是因为氢等离子体能够有效地去除薄膜中的氧空

位和氧缺陷，从而提高载流子迁移率。此外，氢等离子体还能够

改善薄膜的表面状态，减少表面的缺陷密度，使薄膜更加平整。

通过异质外延和氢等离子体处理，研究人员成功地改善了β-

Ga2O3薄膜的性能。他们进一步研究了这些薄膜在光电器件中的

应用。实验证明，经过处理的薄膜具有较高的光电转换效率和较

低的暗电流。这表明，异质外延和氢等离子体处理对于提高β-

Ga2O3薄膜的光电性能具有重要意义。

总结而言，β-Ga2O3薄膜异质外延和氢等离子体处理是提高

其性能的有效方法。这些研究成果对于进一步推动β-Ga2O3材料

在光电子学领域的应用具有重要意义，有望为相关器件的性能提

升提供新的思路。