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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN113643960A
(43)申请公布日2021.11.12
(21)申请号CN202110632336.X
(22)申请日2021.06.07
(71)申请人西安电子科技大学
地址710000陕西省西安市雁塔区太白南路2号
(72)发明人冯倩张涛张雅超张进成马佩军郝跃
(74)专利代理机构61230西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人刘长春
(51)Int.CI
H01L21/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种基于脉冲法的β-Ga2O3薄膜及
其制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种基于脉冲法的
β‑Ga2O3薄膜及其制备方法,所述
β‑Ga2O3薄膜包括:同质衬底层、至少一
个脉冲β‑Ga2O3层和至少一个β‑Ga2O3
层;所述脉冲β‑Ga2O3层的数量与所述
β‑Ga2O3层的数量相同;所述同质衬底层
与所述β‑Ga2O3层之间生长有脉冲
β‑Ga2O3层;每两个所述β‑Ga2O3层之
间生长有脉冲β‑Ga2O3层。本发明能够基
于脉冲法,在同质衬底层外延生长高质
量,低位错密度的β‑Ga2O3薄膜。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2021-11-12公开公开
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