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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112126896A
(43)申请公布日2020.12.25
(21)申请号202011029387.5
(22)申请日2020.09.27
(71)申请人吉林大学
地址130012吉林省长春市前进大街2699
号
(72)发明人赵毅刘畅刘一鸣秦后运
魏松卢明鑫彭翀
(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569
代理人刘奇
(51)Int.Cl.
C23C14/08(2006.01)
C23C14/35(2006.01)
权利要求书1页说明书5页附图2页
(54)发明名称
一种低温制备C轴结晶IGZO薄膜的方法
(57)摘要
本发明提供了一种低温制备C轴结晶IGZO薄
膜的方法，属于液晶显示技术领域。本发明提供
的方法包括以下步骤：在惰性气体和反应气体组
成的混合气氛下，在衬底表面同步进行磁控溅射
和施加等离子体，得到C轴结晶IGZO薄膜；所述磁
控溅射的靶材为铟、镓和锌的氧化物；所述衬底
的温度保持在25～100℃。本发明通过等离子体
辅助方式磁控溅射C轴结晶IGZO薄膜，以等离子
体的能量部分代替形成结晶所需要的热量，能够
实现在25～100℃的低温条件下C轴结晶IGZO的
沉积，从而扩展C轴结晶IGZO薄膜在柔性显示方
面的应用。
A
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6
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N
C
权利要求书
CN112126896A1/1页
1.一种低温制备C轴结晶IGZO薄膜的方法，包括以下步骤：
在惰性气体和反应气体组成的混合气氛下，在衬底表面同步进行磁控溅射和施加等离
子体，得到C轴结晶IGZO薄膜；
所述磁控溅射的靶材为铟、镓和锌的氧化物；
所述衬底的温度保持在25～100℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气和/或氦气，所述反应
气体为氧气和/或氮气；
所述惰性气体的流量为1～1000sccm；所述反应气体的流量为1～1000sccm；在所述混
合气氛中，反应气体的浓度为0.01～20wt％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底自上而下依次包括绝缘层、电极
层和衬底基体，所述磁控溅射在绝缘层表面进行；
所述绝缘层的材质为绝缘金属氧化物、绝缘非金属氧化物和绝缘有机物中的一种；所
述绝缘金属氧化物为AlO和/或HfO，所述绝缘非金属氧化物为SiO、SiN和SiON中的一种
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或几种，所述绝缘有机物为PMMA和/或pp-HMDSO；
所述电极层的材质为金属、金属氧化物或金属氮化物中的一种或几种。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为柔性衬底或非柔性衬底；当所
述衬底为柔性衬底时，所述衬底基体的材质为聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙
二醇酯和聚酰亚胺中的一种或几种；当所述衬底为非柔性衬底时，所述衬底基体的材质为
玻璃、氧化硅、氧化铝、氮化硅和碳化硅中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述施加等离子体的方法包括以下步骤：
将衬底表面的惰性气体和反应气体进行电离，得到等离子体。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电离时使用的射频源功率为1～
2000W，射频源频率为13.56MHz或4MHz；所述电离的方法为电容耦合法或电感耦合法。
7.根据权利要
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