一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法 .pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104347363A

(43)申请公布日2015.02.11

(21)申请号CN201310335217.3

(22)申请日2013.08.02

(71)申请人无锡华润上华半导体有限公司

地址214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

(72)发明人徐振宇章安娜李晓明

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

代理人马晓亚

(51)Int.CI

H01L21/033

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片

的硬质掩蔽层的方法

(57)摘要

本发明公开了一种去除深沟槽刻蚀

工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法，所述

圆片包括已刻蚀出深沟槽的半导体硅衬底

和硬质掩蔽层，所述硬质掩蔽层包括氮化

硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于

所述半导体硅衬底和所述氮化硅层之间，

所述方法包括：利用刻蚀气体对所述圆片

进行干法刻蚀，以去除所述硬质掩蔽层中

的氮化硅层；利用湿法药液对所述圆片进

行湿法腐蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的

二氧化硅层。本发明可以有效去除由氮化

硅和二氧化硅组成的硬质掩蔽层，保证后

续工艺的顺利进行。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法，所述圆片包

括已刻蚀出深沟槽的半导体硅衬底和硬质掩蔽层，所述硬质掩蔽层包括氮化

硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述半导体硅衬底和所

述氮化硅层之间，其特征在于，所述方法包括：

利用刻蚀气体对所述圆片进行干法刻蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的氮化

硅层；

利用湿法药液对所述圆片进行湿法腐蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的二氧

化硅层。

2.根据权利要求1所述的去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的

方法，其特征在于，所述干法刻蚀的类型为等离子体刻蚀。

3.根据权利要求2所述的去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的

方法，其特征在于，所述刻蚀气体为六氟化硫（SFsub6/sub）。

4.根据权利要求1所述的去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的

方法，其特征在于，所述湿法药液包括BOE药液，所述BOE药液由氢氟酸

与氟化氨混合而成。

5.根据权利要求1所述的去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的

方法，其特征在于，所述干法刻蚀的工艺时间依据氮化硅层的厚度和所述刻

蚀气体的流量进行调整。

6.根据权利要求1所述的去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的

方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的工艺时间依据二氧化硅层的厚度和所述

湿法药液所含成分的比例进行调整。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬

质掩蔽层的方法，其特征在于，在所述利用湿法药液对所述圆片进行湿法腐

蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的二

氧化硅层的步骤之后还包括：清洗去除所述硬质掩蔽层后的圆片。

说明书

p技术领域

本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及深沟槽刻蚀技术领域，尤其涉

及一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法。

背景技术

在半导体制造特殊工艺中，如集成电路所使