光刻返工去胶工艺 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103257534A

(43)申请公布日2013.08.21

(21)申请号CN201310157308.2

(22)申请日2013.05.02

(71)申请人上海华力微电子有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高斯路497号

(72)发明人张亮毛智彪

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人吴世华

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

光刻返工去胶工艺

(57)摘要

本发明公开了一种光刻返工去胶工

艺包括提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表

面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶；

使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反

应的光束的光刻机，对整个晶圆表面曝

光；对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻

胶。本发明不需要利用等离子干法灰化，

不存在高温制程，也不需要用到强氧化性

或强酸性的化学液，因而不会对晶圆表面

的薄膜产生损伤或改性。本发明工艺简

单，原料消耗少，可以提高整个制造工艺

流程的稳定和可制造性能，并且能增大最

大光刻返工次数的限制，为研究开发和大

量生产提供更大的工艺容错度。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种光刻返工去胶工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01，提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻

胶；

步骤S02，使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机，对整个晶

圆表面曝光；

步骤S03，对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光刻机与第一次光刻

所用光刻机相同。

3.根据权利要求2所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光束与第一次光刻所

用光束相同。

4.根据权利要求3所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光束是单一波长或广

谱光。

5.根据权利要求4所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光刻胶是存在于40

纳米节点的多晶硅栅极层表面上，该光刻的光束为氟化氩193纳米紫

外光。

6.根据权利要求5所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该显影所用显影液是碱

性混合溶液。

7.根据权利要求6所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该显影液含有四甲基氢

氧化铵。

8.根据权利要求1至7任一项所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：还包括步骤

S04，对显影后的晶圆表面进行清洗；步骤S05，干燥清洗后的晶圆

表面。

9.根据权利要求8所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该清洗包括水洗浸润、

喷雾清洗、刷洗、冲洗或超声波震荡。

10.根据权利要求8所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该干燥包括甩干、吹

干、烘干、异丙醇表面张力干燥。

说明书

p技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图形光刻工艺领域中光刻返工的去胶工

艺。

背景技术

光刻工艺作为半导体工艺中的一个重要工艺，其利用光刻机将投影掩膜版上的图形

转移至晶圆上的光刻胶层内。为了保证所述光刻胶层内形成的图形的位

置和形状与所述投影掩膜版上的位置和形状一致，光刻机首先进行对

准步骤，即将晶圆上的对准标记与所述投影掩膜版上的对准标记对准；

然