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云南师范大学《半导体材料测试分析》2023-2024学年第二学期期末试卷

课程名称:半导体材料测试分析

专业:电子工程

班级:电子工程2023级

考试时间:2024年6月15日09:00-12:00

考试形式:闭卷考试

满分:100分

一、选择题（每题1分，共20分）

1.半导体材料的电阻率主要受以下因素影响：

A.温度

B.压力

C.湿度

D.光照强度

2.在半导体测试中，“霍尔效应”可以用来测定：

A.半导体的带隙

B.半导体的载流子浓度

C.半导体的晶体结构

D.半导体的热导率

3.“IV测试”主要用于测量：

A.半导体的导电性

B.半导体的光学性质

C.半导体的磁性

D.半导体的热稳定性

4.半导体材料的“带隙”是指：

A.价带与导带之间的能量差

B.导带与禁带之间的能量差

C.价带与禁带之间的能量差

D.导带与价带之间的能量差

5.在半导体材料的“光致发光测试”中，主要检测：

A.半导体材料的光电效应

B.半导体材料的发光强度

C.半导体材料的导电性能

D.半导体材料的热扩散

6.“Raman光谱”技术用于分析半导体的：

A.电子迁移率

B.结构与化学成分

C.导电特性

D.热稳定性

7.在半导体测试中，“扫描电子显微镜（SEM）”主要用于：

A.测量半导体的电流

B.观察半导体的表面形貌

C.测定半导体的能带结构

D.测试半导体的热导率

8.“X射线衍射（XRD）”技术主要用于分析：

A.半导体的电阻率

B.半导体的晶体结构

C.半导体的带隙

D.半导体的光学特性

9.半导体材料的“电荷载流子迁移率”可以通过以下哪种测试获得：

A.霍尔效应测试

B.光致发光测试

C.拉曼光谱测试

D.透射电子显微镜测试

10.“CV测试”主要用于测量：

A.半导体的电容-电压特性

B.半导体的光谱特性

C.半导体的热导率

D.半导体的表面形貌

11.“半导体的晶格常数”是指：

A.晶体结构的能量差

B.晶体中最小的原子间距

C.晶体中单位晶胞的尺寸

D.晶体的导电性

12.在半导体测试中，“四探针测量”用于：

A.测量半导体的热导率

B.测量半导体的电阻率

C.测量半导体的发光强度

D.测量半导体的光电效应

13.半导体的“能带结构”影响其：

A.电子迁移率

B.带隙宽度

C.光电效应

D.热稳定性

14.“热分析”技术主要用于研究半导体材料的：

A.热导率

B.热膨胀和热稳定性

C.光电特性

D.机械强度

15.“电致发光测试”可以用来评估：

A.半导体的发光特性

B.半导体的光电效应

C.半导体的电导率

D.半导体的热稳定性

16.“X射线光电子能谱（XPS）”用于分析半导体的：

A.光学特性

B.元素组成和化学状态

C.电荷载流子迁移率

D.机械性能

17.在半导体材料测试中，测量“温度依赖性电阻”可以帮助理解：

A.半导体的光电效应

B.半导体的带隙变化

C.半导体的热膨胀特性

D.半导体的电荷载流子迁移率

18.“脉冲激光沉积（PLD）”技术用于：

A.制备半导体材料

B.测量半导体的电阻率

C.测定半导体的带隙

D.观察半导体的表面形貌

19.“半导体材料的导电性”通常与其：

A.结构缺陷

B.物理形态

C.化学组成

D.以上都有关

20.“原子力显微镜（AFM）”主要用于研究：

A.半导体的电导率

B.半导体的表面粗糙度和形貌

C.半导体的带隙

D.半导体的光学特性

二、填空题（每空2分，共10分）

1.半导体的“能带宽度”通常由____________________测试获得。

2.“霍尔效应”用于测量半导体的_______