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微电子工艺学A智慧树知到课后章节答案2023年下上海大学

上海大学

第一章测试

1.世界上第一个集成电路制造所用的衬底是（）。

A:多晶硅

B:硅单晶

C:金衬底

D:锗单晶

答案:锗单晶

2.麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。

A:10nm

B:5nm

C:7nm

D:9nm

答案:7nm

3.发明集成电路的公司有（）。

A:英特尔

B:英伟达

C:仙童半导体

D:德州仪器

答案:仙童半导体

;德州仪器

4.微电子产业的特点有()。

A:商品寿命短

B:制造环境要求高

C:对材料及产品可靠性要求高

D:技术含量高，人才需要大

答案:商品寿命短

;制造环境要求高

;对材料及产品可靠性要求高

;技术含量高，人才需要大

5.摩尔定律会一直发展下去。（）

A:对B:错

答案:错

6.集成电路制造所需的单晶硅纯度在11－12个9。（）

A:错B:对

答案:对

第二章测试

1.如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（）。

A:增加注入剂量

B:表面预非晶化

C:表面用掩膜

D:增加注入能量

答案:增加注入能量

2.下列哪个杂质允许在硅中存在的？()

A:Na

B:C

C:O

D:Cu

答案:Cu

3.硅的四种掺杂方式有以下几种？（）

A:离子注入

B:原位掺杂

C:扩散掺杂法

D:中子嬗变掺杂

答案:离子注入

;原位掺杂

;扩散掺杂法

;中子嬗变掺杂

4.金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（）

A:错B:对

答案:错

5.硅的解理面为（110）面。（）

A:对B:错

答案:错

第三章测试

1.金刚石结构的立方晶胞空间利用率为74%。（）

A:错B:对

答案:对

2.硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

A:精馏

B:硅烷热分解

C:固体吸附法

D:制备硅烷

答案:精馏

3.目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

A:智能剥离法

B:键合再减薄技术

C:注氧隔离法

答案:智能剥离法

;键合再减薄技术

;注氧隔离法

4.物理提纯法制备多晶硅过程中，硅参加了化学反应。（）

A:错B:对

答案:对

第四章测试

1.如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？()

A:金属离子

B:化学物质

C:融解的氧气

D:细菌

答案:融解的氧气

2.下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

A:微粒

B:纯度

C:浓度

D:金属离

答案:浓度

3.美国联邦标准209E按一立方英尺中存在的颗粒大小和密度定义空气净化标

准。()

A:错B:对

答案:对

4.美国用离子交换法制取95%纯水。（）

A:错B:对

答案:对

第五章测试

1.硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）