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人工晶体学报

第３１卷第２期Ｖｏ１．３１．２

２００２年４月Ｊ０ＵＲＮＡＬＯＦＳＹＩ＇ＣｒＨＥ－＇ＴＩＣＣＲＹＳＴＡＬＳＡｔＭｉｌ．２∞２

１［＇－Ｇｄ２（ＭｏＯ４）３晶体生长中的过冷现象研究

袁清＞－－ｊ，李红军，庄漪，徐军，潘守夔

（１中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００；２．南京大学固体礅结构物理国家实验室，南京２１ＸＥ６）｛

摘要：对电阻加热引上法和感应加热引上法生长．Ｇｄ．ｚ（Ｍｏ０４）３晶体的实验结果进行了比较，分析了两种方法生长

晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况。研究认为组分过冷主要与生长过程中№的挥发、Ｇ￣（ＭｏＯ４）３熔体的

粘度及固液界面的温度梯度有关，并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体。

关键词：电阻加热引上法；感应加热引上法；熔体过冷；组分过冷

中图分类号：Ｏ７８１文献标识码：Ａ文章编号：１０００－９８５Ｘ（２００２）０２－０１１７—０４

ＳｔｕｄｙＯｎＳｕｐｅｒｃｏｏｌｉｎｇｄｕｒｉｎｇｔｈｅＧｒｏｗｔｈｏｆｐ＇－Ｇｄ２（ＭｏＯ４）３Ｃｒｙｓｔａｌ

Ｈ，ＡⅣＱｉｎｇ－ｘｉ，ＬＩＨｏｎｇ－ｊｕｎ，ＺＨＵＡＮＧＹｉ，ＸＵＪｕｎ，ＰＡＮＳｈｏｕ－

（１．署ｉＩｎ．Ｊｉｌｌ６０ｆ０∞ａｎｄＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｅａｄｍａｙ０ｆＳｃｉｅｎｃｅｓ．Ｉ２０１ｉ８００，Ｃｈｉｎａ

２．Ｉ＿Ｉ－ｙ０ｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＭｉｅｎｍｍａｃｔｍｅ，ＮａｍｊＵｎｌｖｅ￣ｔｙ，Ｎａ．ｊｉｒＥ２１１Ｉ３ＣＣ￣，（Ｉ￣ｍｒ）

（昂班１４Ｄｅｃｅｍ￣２∞１）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｗｅ∞Ⅱｌｐａｒｅｄｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｒｌｅｓｕｌｔｓｏｆｇｒｏｗｉｎｇ０－ｃｄ２（ＭｏＯ４）３ｃｒｙｓｔａｌｂＹｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ－ｈｅａｔｅｄａｎｄ

ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ－ｈｅａｔｅｄＣａｏｄｌｍｌｓｋｉ（ｃｚ）ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．Ｔｈｅｃｏｎｓｔｉｕｔｔｉｏｎａｌｓｕｐｅｒｃｏｏｌｉｎｇａｎｄｔｈｅｓｕｐｅｒｃｏｏｌｉｎｇｏｆｔｈｅｍｅｌｔ

ｄｕｒｉｎｇｔｈｅＣｚｐｒｏｃｅｓｓｗｅｅｒｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｗｅｃｏｎｓｉｄｅｒｔｈａｔｔｈｅｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌｓｕｐｅｒｃｏｏｌｉｎｇｗａｓｒｅｌａｔｅｄｔｏｔｈｅ

ｖｏＸａｔｉｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＭｏＯ３，ｈｔｅｖｉｓｃｏｓｉｔｙｏｆＣ￣ＭｏＯ４（ｈｍｅｌｔａｎｄｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｇｒａｄｉｅｎｔｉｎｓｏｌｉｄ－ｌｉｑｕｉｄｉｎｔｅｒｆａｃｅ．

Ｗｅｃｏｎｃｌｕｄｅｔｈａｔｔｈｅｈｉｇｈｑｕ￣ｔｉｔｙｔｒａｎｓｐａｒｅｎ８＇ｔ－叫２（ＭｏＯ４）￣ｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｎｂｙｉｎｄｕｃｔｉｏｎ—ｈｅａｔｅｄＣｚｔｅｃｈｎｉｕｑｅ

ｉｓｅａｓｉｅｒｔｈａｎｂｙｒｅｓｉｓｔａｎｅａ－ｈｅａｔｅｄＣｚｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．

Ｋｅｙｗ０ｒｄｓ：ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ－ｈｅａｔｅｄＣｚｔｅｃｈｎｉｑｕｅ；ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ－ｈｅａｔｅｄＣｚｔｅｃｈｎｉｃｌｕｅ；ｍｅｌｔｕｓｐｅｅｒｏｏｌｉｎｇ；ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ