1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 计算机
  5. 管理系统
网站大量收购闲置独家精品文档，联系QQ：2885784924

氧化物插层对ITO忆阻器性能的影响.pdf

氧化物插层对ITO忆阻器性能的影响.pdf

    1. 1、本文档共75页，其中可免费阅读23页，需付费100金币后方可阅读剩余内容。
    2. 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
    3. 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    4. 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    摘要

    随着人工智能产业的飞速发展，人们对计算机算力的需求也随之激增，遗憾的是，

    现代计算机算力发展却难以维持过去的高速增长。这主要是由于现代计算机正面临两

    大挑战：一、现代计算机的浮栅存储器尺寸正在接近其物理极限；二、冯诺依曼结构

    的低效传输速度。这对现代计算机的发展是一个难以跨越的瓶颈，而新型储存器件忆

    阻器的开发有望成为打破瓶颈的关键。忆阻器不仅具有开关速度快、功耗低、集成度

    高等优点，而且它还具有存算一体特性，这使忆阻器成为打破冯诺依曼结构限制和储

    存单元物理极限的理想器件。迄今为止，透明忆阻器

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    dongbuzhihui + 关注
    实名认证
    内容提供者

    该用户很懒，什么也没介绍

    咨询Ta 进入空间

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >