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第二章器件;2.1二极管;零偏置的突变pn结;正向偏置;反向偏置;人工分析二极管模型;二极管的二级效应;二极管的SPICE模型;2.2MOS晶体管;2.2MOS晶体管;NMOS晶体管的结构和符号;PMOS晶体管的结构和符号;CMOS晶体管的结构;阈值电压;阈值电压;阈值电压;阈值电压;体效应对阈值电压的影响;NMOS器件的电流-电压关系;线性区;线性区;饱和区;饱和区;长沟道器件的电流-电压关系;深亚微米器件的电流-电压关系;深亚微米器件的电流-电压关系;载流子的速度-电场曲线;400?K时载流子漂移的速度-电场关系;饱和速度;短沟道器件的电流-电压关系;PMOS与NMOS比照;由于速度饱和短沟道器件的饱和区范围更大;0;0.25μmCMOS工艺NMOSID-VGS特性;0.25μmCMOS工艺PMOSID-VDS特性;亚阈值电流;晶体管工作区域小结;深亚微米器件的饱和电压;深亚微米器件的电流;MOSFET电容模型;MOSFET覆盖电容;沟道电容;沟道电容;结电容;结电容线性化;2.3MOS晶体管中的二级效应;阈值电压波动;亚阈值导通;寄生电阻;温度效应;CMOS闩锁〔Latch-up〕效应;CMOS闩锁〔Latch-up〕效应;;CMOS闩锁效应;寄生PNPN效应〔闩锁效应〕形成;寄生PNPN效应〔闩锁效应〕原理;寄生PNPN效应〔闩锁效应〕原理;;;自锁条件;产生自锁的三个条件条件;;消除自锁现象的措施;消除自锁现象的措施;马雷凯:专题讨论(2011-9-30);专题讨论课
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