34mm SiC MOSFET半桥碳化硅模块产品介绍_20241217_Rev.1.0.1.pdf

Rev.1.0.1

工业模块产品介绍

34mmSiCMOSFET模块BMF80R120RA3产品介绍

产品整体性能介绍

静态测试数据

动态测试数据（高压双脉冲）

BMF80R120RA3终端应用电力电子仿真数据

34mmSiCMOSFET模块驱动方案

驱动SiCMOSFET使用米勒钳位功能的必要性

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产品线特色产品亮点

丰富的模块设计和制造经验；低导通损耗，高温RDS(on)表现优异；

车规级产品设计理念，产品可靠性更高；低开关损耗，适合更高开关频率，以降低设备体积，提高功率密度；

配套的驱动IC和驱动板产品服务；高性能陶瓷材料和高温焊料引入，提高产品可靠性；

系统的电力电子和热仿真，提供设计参考；支持Press-Fit压接和Soldering焊接工艺；

丰富的产品应用经验以及模块技术服务团队集成NTC温度传感器

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产品亮点

基本第三代芯片技术，性能更优;

低导通电阻，高温RDS(on)表现优异；

低开关损耗，提高开关频率，功率密度提升；

高性能DCB和高温焊料引入，提高产品可靠性；

Soldering焊接工艺

应用领域

高端工业电焊机

Pcore™234mm

感应加热

工业变频器

产品型号封装拓扑VDss(V)RDS(on)(mΩ)@25℃IDnom(A)VGS(op)(V)VGS(th).typ(V)VSD(V)QG(nC)

BMF80R12RA3Pcore™234mm半桥12001580+18/-42.74.0220

BMF160R12RA3Pcore™234mm半桥12007.5160+18/-42.74.0440

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电气特性

基本半导体第三代芯片技术，性能更优；

低导通电阻，芯片导通电阻15mΩ@I=80A，端子到芯片的

D

RDS(on)=15.6mΩ，导通损耗更低；

高温下的工作电流高；

开关速度更快，高压大电流下开关损耗更低，更适合高频使用;

