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SiC-MOSFET单管及碳化硅模块在逆变焊机中的应用_20241217_Rev.1.4.1.pdf

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    Rev.1.4.1

    根据国内数据，逆变频率为20kHz的IGBT功率器件通常只能达到2级能耗标准，艾特尔NBC-500SiC检验报告

    而逆变频率为70kHz的碳化硅则可以轻松达到1级能耗标准。

    BASiCSemiconductorCopyright©2024BASiCSemiconductorCo.,Ltd.Allrightsreserved.PAGE2

    SiCMOSFET高频逆变焊机

    IGBT逆变焊机

    BASiCSemiconductorCopyright©2024BASiCSemiconductorCo.,Ltd.Allrightsreserved.PAGE3

    驱动芯片，电源芯片，

    隔离变压器集中在单独的一块PCB

    BASiCSemiconductorCopyright©2024BASiCSemiconductorCo.,Ltd.Allrightsreserved.PAGE4

    •焊机功率：10-30kW

    •气保焊，手工焊

    电路位置焊机输出电流SiCMOSFET分立器件SiCMOSFET模块隔离驱动芯片电源控制芯片SiCSBD

    （250-300)AB2M080120Z*8////

    主电路原边逆变（350-500)AB2M040120Z*8BMF240R12E2G3///

    BMF80R12RA3

    500A以上或切割机B2M030120Z*8BMF160R12RA3///

    BTD5350MCPR*8

    BTP1521F

    门极驱动板//

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