非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征.pdf

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第29卷第12期武汉理工大学学报Vol.29No.12

2007年12月JOURNALOFWUHANUNIVERSITYOFTECHNOLOGYDec.2007

非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征

1121

郝江波,夏冬林,姜宏,赵修建

(1.武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉430070;2.中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司,洛阳471009)

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摘要:在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压

力、功率、H/SiH气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性

质。实验结果表明非晶硅薄膜的折射率随着入射光波长的增加而减小;在500nm处吸收系数高达8.5×104cm-1,光学

禁带宽度在1.60—1.78eV之间变化。

关键词:非晶硅薄膜;折射率;吸收系数;光学禁带宽度

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中图分类号:O766;TN304文献标识码:A文章编号:167144312007

ResearchonPreparationandOpticalPropertiesofAmorphous

SiliconThinFilmsbyPECVD

1121

HAOJiangbo,XIADonglin,JIANGHong,ZHAOXiujian

(1.KeyLaboratoryofSilicateMaterialsScienceandEngineeringofMinistryofEducation,WuhanUniversityof

Technology,Wuhan430070,China;2.ChinaLuoyangFloatGlassGroupCo

Ltd,Luoyang471009,China)

Abstract:Amorphoushydrogenatedsiliconwasfabricatedbyplasma

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