功率半导体可靠性分析资料(1).pdfVIP

目录

1.可靠性项目

1.1设计过程中的可靠性

1.2技术开发

1.3验证和产品开发

1.4试产

1.5量产

2.可靠性分析的基本原理

2.1可靠性的定义

2.2Bathtub曲线

2.2.1早期失效阶段

2.2.2随机失效阶段

2.2.3末期失效阶段

3.可靠性测试方法

3.1加速老化试验

3.1.1温度加速老化试验

3.1.2活化能

3.1.3电压加速试验

3.1.4温度循环加速老化试验

3.1.5适度加速老化试验

4.数据分析的可靠性函数

4.1可靠性函数的定义

4.2失效分布函数

4.3失效概率密度函数

4.4失效比率函数

4.5单位故障率

4.6不同概率函数的应用

4.6.1指数分布

4.6.2简单故障率统计

4.6.3Weibull分布

4.6.4对数正态分布

4.6.5对数正态分布的应用

5.应力测试技术

5.1热载体寿命

5.2电迁移

5.3时间依赖的电子击穿（TDDB）

6.产品应力测试的验证

6.1高温寿命测试

6.1.1高温栅偏压（HTGB）

6.1.2高温逆向偏压（HTRB）

6.1.3高温工作寿命（HTOL）

6.2环境测试

6.2.1Popcom效应核算

6.2.2高温存储（HTS）

6.2.3温度循环测试（TC）

6.2.4温度湿度偏压测试（THB）

6.2.5高加速温湿度老化测试（HAST）

6.2.6高压炉测试（PCT）

6.2.7间歇性操作寿命(IOL)

备注：因课件内容较多，本人会尽快整理撰写分多期逐步更新，尽量缩短更新周期

1.可靠性项目

在功率器件应用中，高功率器件会经常遇到。努力让功率器件可靠的实现它们预期的应用。为了实现

这个目标，可靠性测试将贯穿整个产品周期。、

1.1设计中的可靠性

在设计阶段，特别是为了一个新的技术而又一个新的平台导入时，应执行全面的计算和模拟测试以确

保设计的电参数和其他可靠性特性已最优化。例如，当击穿电压需要改变时，模拟测试应包含所有结

构的改变去最优化击穿电压，阈值电压，沟道电阻，各种寄生电容和权衡UIS稳健性等。

对于一个新的封装设计，热敏电阻时非常重要的，应执行全面的3-D有限元素分析的模拟测试。

1.2技术开发

一旦一个技术完成并通过跨部门的审核，则需要试验晶圆去验证该设计。应基于设计和模拟试验设计