电力电子技术-第五版(王兆安刘进军)课后详细答案.pdfVIP

第二章电力电子器件

1.使晶闸管导通的条件是什么？

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在极施加触发电流（脉冲）。

或：〃AK0且〃GK0。

2.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

将：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持

电流。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降

到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

3.图1・43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为

/m,试计算各波形的电流平均值5、/d2、413与电流有效值八、，2、人。

图1・43晶闸管导电波形

解：a）

?si%(汨吟~Im

b)

也必初）=；

c)

4.上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶闸管能送出的平均电流加、如、后各为

多少？这时，相应的电流最大值/ml、八2、小3各为多少？

解：额定电流/TA（V）=100A的晶闸管，允许的电流有效值/=157A,由上题计算站果知

a）/mlX——-——U/di«/ml«

0.4767

b）M嬴*如*6。

c）/m3=2/=314,/d3=-Zm3

4

5.GO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GO能够自关断，而普通晶闸管不

能？

答：GO和普通晶闸管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管Vi、V2,

分别具有共基极电流增益必和%，由普通晶闸管的分析可得，%是器件临界导

通的条件。两个等效晶体管过饱和而导通；臼+。21，不能维持饱和导通

而关断。

GO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GO与普通晶闸管在设计

加工艺方面有以下几点不同：

DGO在设计时%较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GO关断；

2)GO导通时的%+为更接近于1，普通晶闸管%+%之。1+。2k

3)多元集成结构使每个GO元阴极面积很小，极和阴极间的距离大为维短，使得

P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从极抽出较大的电流成为可能。

6.如何防止电力MOSFE因静电感应应起的损坏？

答：电力MOSFE的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFE的输入电容是低

泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止

MOSFE因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：

①一般在不用时将其三个电极短接；

②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；

③电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高

④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

7.IGB、GR、GO电力MOSFE的驱动电路各有什么特点？

答：IGB驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGB是电压驱动型器件,

IGB的驱动多采