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为天地立心，为生民立命，为往圣继绝学，为万世开太平。——张载

晶体管和二极管区别

晶体管和二极管区别

首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体

管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原

理。

半导体二极管及其特性

半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和

面接触型两种。

点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上

一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处

理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分

别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半

导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。

面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安

放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。接着将温度降低，

使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。此P型晶体与末熔化

的N型晶体组成P—N结。

点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层

间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为

15一20微微池。因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者

只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流

小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整

流。

常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：

1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所

能应用的频率范围。

2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般

比击穿电压小。反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被

击穿的危险。

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3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电

流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。这时二极管失去整流

性能。

4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。

晶体三极管的结构和类型

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是

电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很

近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，

两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从

三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结

叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发

射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；

NPN型三极管发射区发射的是自由电子，其移动方向与电流方向相

反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结

在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型

和NPN型两种类型。