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ICS29.045
H83
DL
中华人民共和国电力行业标准
DL/TXXXXX—XXXX
电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使
用条件
Siliconcarbideepitaxialwaferacceptancespecificationforhighvoltagepower
devicesatthegridsystem
（求意见稿）
XX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
国家能源局发布
DL/TXXXXX—XXXX
II
DL/TXXXXX—XXXX
电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
1范围
本标准规定了电力系统高压功率器件用碳化硅外延料的各项技术指标。
本标准适用于高电压功率器件应用的碳化硅外延料。
本标准适用于直径为①100mm和中150mm的碳化硅外延料。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后
所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用F本标准。然而，鼓励根据本标准达成协
议的各方研究是否可使用这些文件的必威体育精装版版本。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本适用于本
标准。
IE63068-1Semiconductordevices-Non-des(ruc(iverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon
carbidehomocpitaxialwaferforpowerdevices-Part1:lassificationofdefects
IE63068-2Semiconductordevices-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon
carbidehomocpitaxialwaferforpowerdevices-Part2:Testmethodfordefectsusingopticalinspection
GB/T14264半导体料术语
GB/T30656碳化硅单晶抛光片
GB/T30866碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T30868碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法
GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
GB/T32278嫉化硅单晶片平整度测试方法
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1掉落物downfall
掉落物是一种小颗粒物，一般为从生长室内壁上掉落下来的3-Si颗粒，外延生长过程中
被外延层所包裹，通常会以颗粒物所在位置为起点，诱发三角形缺陷。
[IE63068-1,定义4,
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