电力电子技术-复习题答案.pdfVIP

第二章：

1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等假设du/dt过大就会

使晶闸管出现误导通假设di/dt过大会导致晶闸管损坏。

2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、功率场

效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性？

答：晶闸管的伏安特性

正向特性当/G=0时如果在器件两端施加正向电压那么晶闸管处于正向阻断状态只有很小的正向

漏电流流过。

如果正向电压超过临界极限即正向转折电压历0,那么漏电流急剧增大,器件开通.

随着门极电流幅值的增大正向转折电压降低晶闸管本身的压降很小在IV左右。

如果门极电流为零并且阳极电流降至接近于零的某一数值〃/以下那么晶闸管又回到正向阻断状态

〃/称为维持电流。

3.使晶闸管导通的条件是什么？

答：使晶闸管导通的条件是：品闸管承受正向阳极电压并在门极施加触发电流脉（冲）。或：uAK0

EuGKOo

4.在如下器件：电力二极管SowerDiode）、晶闸管S（CR）,门极可关断晶闸管G（TO）、电力晶体管

G（TR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中属于半控型器件的是

SCK。

5.晶闸管的擎住电流L.

答：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后能维持导通所需的最小电流。

6.晶闸管通态平均电流4A（V）

答：晶闸管在环境温度为40℃和规定的冷却状态下稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工

频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。

7.晶闸管的控制角a移（相角）

答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度用a表示也称触发角或控制角。

8.常用电力电子器件有哪些？

答：不可控器件：电力二极管。

半控型器件：晶闸管。

全控型器件：绝缘栅双极晶体管IGBT,电力场效应晶体管电〔力MOSFET）门极可关断晶间管G（TO）,

电力晶体管。

9.电力电子器件有几种工作状态？［电力电子器件有哪四种工作状态？）

答：四种即开通、截止、反向击穿、正向击穿。

10.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

答：维持晶闸管导通的条件是晶闸管的电流大于使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

晶闸管由导通变为关断：去正向电压，施加反压，使晶闸管的电流低于维持电流。

11.简述晶闸管的正常工作时的特性。

答：当晶闸管承受反向电压时，不管门极是否有触发电流，品闸管都不会导通。

当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

品闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不管门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通，

假设要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的

某一数值以下。

12.对同一只晶闸管，维持电流I”与擎住电流L在数值大小上有1“小于J

13.请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管£3；可关断品闸管以3；功率场效应

晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

14.晶闸管触发电路的要求？

答：晶闸管触发电路应满足以下要求：

I）触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通结（合擎住电流的概念）。

2）触发脉冲应有足够的幅度。

3）不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。

4）应有良好的抗干扰性能、