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学而不知道,与不学同;知而不能行,与不知同。——黄睎
集成电路设计考点
1.填空题
1.NML与NMH的概念,热电势,D触发器,D锁存器,
施密特触发器。
低电平噪声容限:VIL-VOL
高电平噪声容限:VOH-VIH
这一容限值应该大于零
热电势:两种不同的金属相互接触时,其接触端与非接触端
的温度若不相等,则在两种金属之间产生电位差称为热电
势。
2.MOS晶体管动态响应与什么有关?(本征电容P77)
MOS晶体管的动态响应值取决于它充放电这个期间的本征
寄生电容与由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。
本征电容的来源:基本的MOS结构、沟道电荷以及漏与源
反向偏置PN结的耗尽区。
3.设计技术(其他考点与这种知识点类似)P147
怎样减小一个门的传播延时:
减小CL:负载电容主要由以下三个主要部分组成:门本身
的内部扩散电容、互连线电容与扇出电容。
增加晶体管的宽长比
提高VDD
4.有比逻辑与无比逻辑。
第1页
学而不知道,与不学同;知而不能行,与不知同。——黄睎
有比逻辑:有比逻辑试图减少实现有一个给定逻辑功能所需
要的晶体管数目,但它经常以降低稳定性与付出额外功耗为
代价。
这样的门不是采用有源的下拉与上拉网络的组合,而是由一
个实现逻辑功能的NMOS下拉网络与一个简单的负载器件
组成。
无比逻辑:逻辑电平与器件的相对尺寸无关的门叫做无比逻
辑。
有比逻辑:逻辑电平是由组成逻辑的晶体管的相对尺寸决定
的。
5.时序电路的特点:记忆功能的原理:
(a)基本反馈;(b)电容存储电荷。
6.信号完整性。(电荷分享,泄露)
信号完整性问题:
电荷泄露
电荷分享
电容耦合
时钟馈通
7.存储器与存储的分类
按存储方式分
随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且
存取时间与存储单元的物理位置无关。
第2页
学而不知道,与不学同;知而不能行,与不知同。——黄睎
顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间与存储
单元的物理位置有关。
按存储器的读写功能分
只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读
出而不能写入的半导体存储器。
随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储
器。
按信息的可保存性分
非永久记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。
永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。
按存储器用途分
根据存储器在计算
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