天岳先进(688234)国内领先的碳化硅衬底龙头.pdf

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公司深度研究

内容目录

一、物理特性，性能优异引领未来发展趋势4

1.1碳化硅具有耐高温、高压与高频、低功耗等优势，广泛用于电力电子系统设备4

1.2碳化硅制造工艺与硅基差异较大，公司专注衬底环节掌握液相法等核心技术5

1.3碳化硅扩径降本是产业升级大趋势，海外和国内大厂积极布局8

二、专注衬底，拥有核心竞争力的碳化硅龙头12

2.1专注碳化硅衬底研发和生产，近年来收入快速增长业绩拐点已至12

2.2导电型衬底加速出货，保持高强度研发投入自主扩径加强技术储备13

三、成本挑战，碳化硅功率器件应用日新月异16

四、盈利预测与投资建议21

4.1盈利预测21

4.2投资建议及估值22

五、风险提示23

图表目录

图表1：SiC具有耐高温、耐高压和高频等优良特性4

图表2：SiC多项性能指标领先Si材料数倍4

图表3：SiC聚焦高压应用，GaN的优势更侧重于高频应用可实现高效的功率转换4

图表4：SiC晶片作为衬底材料的应用逐步成熟并进入产业化阶段5

图表5：促进SiC行业发展的主要政策5

图表6：衬底是SiC功率器件制造过程中价值量占比最大的环节（单位：%）6

图表7：SiC晶体生长的难点包括了温度要求高、长晶速度慢、晶型要求高等等6

图表8：PVT法在生长SiC单晶时的速度相对较慢6

图表9：HTCVD法在长晶方面较PVT法具有更高的速率6

图表10：由于PVT法在制造大尺寸SiC晶体和降低成本方面遇到挑战，液相法重新引起了业界的关注7

图表11：公司采用液相法长晶成功获得低贯穿位错和零层错的SiC晶体7

图表12：公司于11M24发布了业内首款12英寸SiC衬底7

图表13：2023年中国大陆6英寸SiC衬底产能不完全统计8

图表14：12英寸、8英寸与6英寸SiC衬底芯片产出数量对比9

图表15：海外厂商8英寸SiC衬底/外延的布局进展9

图表16：国内厂商8英寸SiC衬底/外延的布局进展10

图表17：2023年国内SiC产业各个环节的产能及产量均较2022年大幅提升（单位：万片）10

图表18：2023年公司和天科合达入列全球导电型SiC衬底市场前五，Wolfspeed、Coherent份额下降明显.11

图表19：VerifiedMarketResearch预测2031年全球SiC衬底市场规模将达24.14亿美元11

敬请参阅最后一页特别声明2

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公司深度研究

图表20：McKinsey根据多种不同的情景来预估2027年SiC衬底的供需格局12

图表21：自2011年以来，公司专注SiC衬底的研发及生产和销售，主营业务未发生变化12

图表22：2018-2023年，公司营收从1.36亿元增长至12.51亿元，1-3Q2024归母净利润达1.43亿元，同比增

长309.56%13

图表23：随着规模效应逐步显现公司毛利率大幅改善13

图表24：SiC衬底贡献公司主要收入13

图表25：简易定增加大车规级8寸导电型衬底产能投入14

图表26：海外龙头在收入规模上更占优势，国内厂商正奋起直追（单位：百万元）14

图表27：公司22年进行了产能调整，收入出现负增长（单位：%）15

图表28：1-3Q2024公司综合毛利率开始领先友商（单位：%）15

图表29：公司在研发方面的投入力度国内领先（单位：%）15

图表30：3Q24公司存货周转天数略有上升（单位：天）16

图表31：公司应收账款周转天数有