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博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》
多晶硅电池工艺总结
各工序主要工艺参数
一、烧结
350310300550500500550
630(调整比例,高温调10度,该温度调5度)
810(760~845,临界温度，超出会出现烧穿或效率低下)
260280300352440505（烘干区域）
560（硅铝共晶温度577度，在烘干区内基本不能高于该临界温
度）
715753(双重温区烧结，重点调节8和9温区)
根据资料显示，铝背场的吸杂作用发挥作用的温度极限为830度，
快速烧结的最佳铝吸杂温度是750度左右，因此在对烧结温度选择时，
需要考虑该温度范围的限制，通过微调获得最佳设定值；
烧结调整原理：
1）同一批次，短流突然Isc很轻微变小，有可能是烧结温度8温
区温度低，可上调4-6度（主要是烧结炉的稳定性影响，或者是接触
不够紧密）；
2）如果出现大量效率低下片（14.5），并且是电流很低，则很
有可能已烧穿，应尝试调低8，9温区5度左右，观察效果；
3）如若降温达不到效果，可考虑对烧结炉进行升温，观察是否烧
结温度不足引起效率低下；
二、清洗
一次减重0.4-0.5g
减薄4-6微米
带速减0.1,减重增加0.041;HF手动添加1L，减重增加0.025
蚀刻槽温度8±0.5℃带速0.8-1.2米/秒
配比：（100：166：77）（HF：HNO3：H2O）
循环流量（148L/min）
自动添加量（HNO3:0.478L,HF:0.357L）
博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》
HNO3作用：将硅片表面氧化，同时会使硅片表面发亮，对HF的
反应有催化
作用
HF作用：将硅表面氧化层、缺陷腐蚀掉
调节方式：1）在保证腐蚀减重的前提下，添加硝酸和水，调节其
上下表
面的反光亮度；
2）正常情况下，反应是放热反应，上下表面的散热速度不同，会
产生一面较暗，一面较亮的效果；
3）要注意暗纹生成的均匀性和腐蚀深度，如若均匀性不足，可降
低带速同时注入纯水稀释。
4）槽内液体循环量取150L/min左右；
5）如若出现腐蚀量不足，或制绒面光亮，则添加HF酸进行微调，
每次添加约0.25L左右，观察表面关况；
碱洗槽（KOH）主要用于清洗酸液及污垢，初始添加（4.5L）
自动添加量（KOH700ml/h,H2O4L/h）酸洗槽（HCL/HF）主
要用于去除金属离子杂质，初始添加（13:34）HF:HCL
自动添加量(HCl1800ml/h,H2O4L/h,HF900ml/h)
蚀刻槽内出现大量漂浮异物，造成后工序出现蓝点或PE白点原因
及处理方法：1）加注少量碱液，添加量以0.25L/次，以加强水洗清洗
能力，但
该方
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