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ICS29.050,31.030
CCSH62.L90
中华人民共和国国家标准
GB/TXXXXX—XXXX
`
微波无源器件用高温超导薄膜
Hightemperaturesuperconductingthinfilmsformicrowavepassivedevices
(点击此处添加与国际标准一致性程度的标识)
(征求意见稿)
(本草案完成时间:2024.10.30)
在提交反馈意见时,请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
GB/TXXXXX—XXXX
微波无源器件用高温超导薄膜
1范围
本文件规定了微波无源器件用高温超导薄膜的术语和定义、分类、要求和试验方法以及包装、标志、
运输、和贮存。
本文件适用于超导材料学领域微波无源器件应用的高温超导薄膜。
本文件不适用于未达到实用化水平的高温超导薄膜。
注:未达到实用化水平的高温超导薄膜指原型、试样和开发中的超导薄膜。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,
仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本
文件。
GB/T2900.100-2017电工术语超导电性
GB/T5597-1999固体电介质微波复数介电常数的测试方法
GB/T17711-1999钇钡铜氧(123相)超导薄膜临界温度T的直流电阻测试方法c
GB/T22586-2018电子学特性测量超导体在微波频率下的表面电阻
GB/T28786-2012真空技术真空镀膜层结合强度测量方法胶带粘贴法
GB/T39843-2021超导电性第十七部分:电子学特性测量-大面积超导薄膜局域临界电流密度及其
分布
GB/T14140-2009硅片直径测量方法
GB/T30857-2014蓝宝石衬底片厚度和厚度变化测试方法
GB/T33826-2017玻璃衬底上纳米薄膜厚度测量触针式轮廓仪法
3术语和定义
GB/T2900.100-2017,GB/T22586-2018和GB/T5597-1999界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
超导薄膜superconductingthinfilm
平均厚度小于1μm的薄层超导体,通常用PVD(物理气相沉积法)、CVD(化学气相沉积法)或其他
工艺制备。
临界温度criticaltemperature
T
c
在零电流和零磁场强度下,超导体呈现超导电性的最高温度。
[来源:GB/T2900.100-2017,815-10-09]
临界电流密度criticalcurrentdensity
1
GB/TXXXXX—XXXX
Jc
通过导体的电流为临界电流时,导体全截面上的电流密度。
[来源:GB/T2900.100-2017,815-12-03,有修改]
微波表面电阻microwavesurfaceresistance
微波表面阻抗为导体(包括超导体)表面电场切向分量与
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