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其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》
M/C离子注入机
§1.概述
在半导体行业中，离子注入的机台主要分为高能量（H/E），大束流（H/C），
中束流（M/C）三种。这里主要介绍的是中束流的离子注入机台。
中束流机台（MediumCurrent）一般是单个晶片进行注入，注入的剂量一般
在1E11到1E14之间，而能量则在5kev到200kev之间。
我们经常用到的4种离子为：
1．B12Kev1.6E1230μA
2．B185Kev2.254E13156μA
3．P20Kev6E13850μA
4．As200Kev2.7E1250μA
§2.M/C机台介绍
2.1型号
我们常见的M/C型机台是Nissin公司生产的Exceed2000AH型，另外还有
Axcelis公司生产的NV-8250型和Varian公司的EHPi500型。下面给出的是
Nissin的Exceed2000AH的外观图
机台的基本情况为：3200W*6385L*2600H
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重量为17，500Kg,地板承受的压力为1000Kg/m
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其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》
其中，控制面板如图所示。
2.2工作原理
离子植入的基本原理就是把气体或固体源的原子离子化，然后对离子进行选
择，把所需的离子进行加速，达到所需的能量，注入到硅片中的过程。
下面就是整个机台的俯视图，主要分为EndStation,BeamLine,IonSource
三个大的部分。
2.3主要部件
2.3.1离子源（IonSource）。
因为我们要注入的杂质是有一定的能量的，所以必须对杂质进行加减速，而
只有带电微粒才能在电场的作用下加减速，因此要使杂质离子化。离子源就是用
电子撞击气体分子，得到我们所需要的离子的部件。离子源包括Arcchamber和
Extractionelectrode系统。
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其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》
1．Arcchamber.
Arcchamber是利用灯丝加热，放出电子，然后电子撞击通入的气体分子，
得到离子。通常在chamber上安装磁铁，使电子在磁场中螺旋运动，增加运行轨迹，
使电子撞击的机率增大。
下图是Arcchamber的结构示意图：
图中的Reflector上有负的电位，这样就不会吸收电子，减少电子到达的机会，
就能够因碰撞而产生更多的离子。
2．Extractionelectrode
离子产生以后，我们必须把它从Arcchamber中吸取出来，因此在Arcchamber
上加40kv的正电压，Extractione
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