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模拟电子技术模拟习题（含参考答案）

一、单选题（共103题，每题1分，共103分）

1.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：

A、I=βIb

B、Ic=βIb

C、Ie=βIb

正确答案：B

2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。

A、直流成分;

B、交流成分;

C、交直流成分均有。

正确答案：C

3.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()

A、正确;

B、错误

正确答案：B

4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

A、正确;

B、错误

正确答案：B

5.绝缘栅型场效应管的输入电流()。

A、较大;

B、为零;

C、无法判断。

D、较小;

正确答案：B

6.晶体三极管的输出特性曲线上可分为（）

A、放大区、饱和区和截止区三个分区

B、恒流区、放大区和截止区三个分区

C、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区

D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区

正确答案：A

7.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。

A、正确;

B、错误

正确答案：B

8.国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。

A、圆壳式；

B、双列直插式。

C、扁平式；

正确答案：B

9.稳压二极管的正常工作状态是（）。

A、任意状态。

B、反向击穿状态；

C、导通状态；

D、截止状态；

正确答案：B

10.基本放大电路中的主要放大对象是（）。

A、直流信号；

B、交流信号；

C、交直流信号均有。

正确答案：B

11.双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。

A、正确;

B、错误

正确答案：B

12.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（）

A、对:

B、错

正确答案：A

13.若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()

A、发射结反偏、集电结反偏;

B、发射结反偏、集电结正偏。

C、发射结正偏、集电结反偏;

D、发射结正偏、集电结正偏;

正确答案：C

14.PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。

A、发射结正偏、集电结反偏

B、发射结正偏、集电结正偏

C、发射结反偏、集电结反偏

D、发射结反偏、集电结正偏

正确答案：A

15.如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是()信号。

A、模拟

B、差模

C、共模

正确答案：C

16.放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()

A、错误

B、正确;

正确答案：B

17.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()

A、正确;

B、错误

正确答案：B

18.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。()

A、正确;

B、错误

正确答案：A

19.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。

A、截止失真;

B、饱和失真;

C、晶体管被烧损。

正确答案：B

20.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（）

A、错

B、对:

正确答案：A

21.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。

A、少子漂移

B、多子漂移

C、少子扩散

D、多子扩散

正确答案：D

22.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）

A、深度负反馈

B、正反馈

C、负反馈

D、自激振荡

正确答案：D

23.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。

A、正确;

B、错误

正确答案：B

24.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近()。

A、饱和区

B、死区

C、截止区

正确答案：A

25.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。

A、错误

B、正确;

正确答案：B

26.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）

A、错

B、对:

正确答案：B

27.若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

A、发射结正偏、集电结反偏；

B、发射结正偏、集电结正偏；

C、发射结反偏、集电结反偏；

D、发射结反偏、集电结正偏。

正确答案：A

28.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。

A、四价

B、三价

C、五价

正确答案：B

29.集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（）

A、对:

B、错

正确答案：B

30.射极输出器是典型的（）。

A、电压串联负反馈。

B、电压并联负反馈；

C、电流串联负反馈；

正确答案：A

31.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。

A、饱和

B、交越

C、截止

D、频率

正确答案：C

32.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。

A、自