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子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》
课题序号2授课班级075电子1、2
授课课时8授课形式讲授
授课章节
主题9：掺杂
名称
使用教具多媒体
1、掌握常见掺杂方式：扩散、离子注入
2、掌握离子注入工艺
3、了解离子注入的应用
教学目的
4、了解掺杂质量控制
教学重点离子注入工艺
掺杂质量控制
教学难点
更新、补
充、删节
内容
课外作业
教学后记
子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》
授课主要内容或板书设计
9.1概述
9.2扩散
9.3离子注入
9.4离子注入机
9.5离子注入工艺
9.6离子注入的应用
9.7掺杂质量控制
子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》
课堂教学安排
教学
主要教学内容及步骤
过程
导入在前面已经介绍了在半导体中哪怕引入一点点杂质也会大大改变半导体的导
电性。本章就要介绍给半导体引入指定杂质的工艺过程，也就是掺杂。掺杂的
目的就是改变半导体的导电类型，形成N型层或P型层，以形成PN结和各种
半导体器件，从而形成半导体集成电路；或改变材料的电导率。经过掺杂，杂
质原子将要代替原材料中的部分原子，材料的导电类型决定于杂质的化合价，
如硅中掺入五价的磷（施主杂质）将成为N型半导体，掺入三价的硼（受主杂
质）将成为P型半导体。
新授9.1.2掺杂的两种方法
掺杂的方法有两种：热扩散和离子注入。热扩散法是最早使用也是最简单
的掺杂工艺，热扩散是利用高温驱动杂质进入半导体的晶格中，并使杂质在半
导体衬底中扩散。这种方法对温度和时间的依赖性很强。于20世纪50年代开
始研究，20世纪70年代进入工业应用阶段，随着VLSI超精细加工技术的发
展，现已成为各种半导体掺杂和注入隔离的主流技术。离子注入是通过把杂质
离子变成高能离子来轰击衬底，从而把杂质注入到半导体衬底中的掺杂方法。
9.1.3掺杂工艺流程
半导体制造中的污染无时无刻不在，所以掺杂之前要对衬底进行清洗等前
处理。大部分的掺杂是在半导体衬底中指定的区域掺杂——选择性掺杂，也就
是有些区域需要掺杂，其他区域不掺杂。怎样实现选择性掺杂呢？那就是在掺
杂之前在半导体衬底表面生长一层掩蔽膜（这层掩蔽膜具有阻挡杂质向半导体
衬底中扩散的能力），然后对掩蔽膜进行光刻和刻蚀，去掉衬底上面待掺杂区
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