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中兴电磁兼容设计讲座.ppt

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直接搭接:即搭接体间之直接连接;01间接搭接:即搭接体间以金属导线相连,其适合于经常移动的装备,以及将安装防震垫〔ShockMounts〕的装备,间接搭接时应特别注意共振效应(ResonantEffect),否则引入杂讯。02搭接的方法有熔接(Welding)、硬焊〔Brazing〕、软焊(Sweating)、砧接〔Swaging〕、铆接(Riveting)以及螺丝连接。03搭接的形态搭接时,金属面应予以清洁,不得有油漆或其它杂物,搭接完成后,可涂以油漆或施以其它之防蚀保护。此外,搭接时应考虑不同金属之电化效应,并应尽量减少接触盐水、汽油等,以防电能作用。01若电能特性相去甚远的两金属欲搭接在一起,应以介于其间的金属为垫圈置于该两金属间,02搭接之处理金属电化次序阳极端(最易受腐蚀)第一类镁(Mg);第二类铝(AL)或铝合金;锌(Zn);镉(Cd);第三类碳钢;铁(Fe);铅(Pb);锡(Sn);第四类镍(Ni);铬(Cr);不锈钢;第五类铜(Cu);银(Ag);金(Au);白金(Pt);钛(Ti)。阴极端(不易受腐蚀)0102铆接有均匀、省时的优点,但其使用弹性不如以螺钉搭接,且防蚀能力不如熔接、软硬焊。铆接时铆孔应与铆钉紧密接合,铆孔边不得有油漆。螺纹搭接时应注意垫圈材料的选择及安放位置,通常均戴垫圈(LoadDistributionWasher)直接置于螺栓头(BoltHead)或壳帽之下,而锁紧垫圈(LockWasher)则应置于螺帽与均戴垫圈之间。此外,千万别将带齿锁紧垫圈置于两搭接金属之间。铆接及螺纹搭接要有效地达到搭接的功能,应使搭接的金属紧密地连接,连接面应均匀、干净,其间不得有非传导性之物质。固定时应防止变形、震动、摇摆。应尽量将类似金属相搭接,不得已时可使用垫圈。应尽量使用直接搭接,若情况不许可时得使用搭接线,惟使用搭接线时应考虑:线之长度愈短愈好,电感电容比愈小愈好;线之电化次序应低于搭接物;长宽比应小于5;应直接与搭接物相接;不得使用自攻螺纹(Self-TappingScrew)。123456注意01屏蔽能有效地抑制通过空间传播的电磁干扰。采用屏蔽的目的有两个:一是限制内部的辐射电磁能越过某一区域;二是防止外来的辐射进入某一区域。02屏蔽按其机理可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。屏蔽电场屏蔽的机理AABBC1C2UAUBUASC2C3C4图1:电场感应示意图图2:电场屏蔽作用的分析屏蔽板以靠近受保护物为好,而且屏蔽板的接地必须良好。此举目的是增大C4的值;屏蔽板的形状对屏蔽效能的高低有明显影响。例如,全封闭的金属盒可以有最好的电场屏蔽效果,而开孔或带缝隙的屏蔽盒,其屏蔽效能都会受到不同程度的影响。此举主要是影响剩余电容C1′的值;屏蔽板的材料以良导体为好,但对厚度并无要求,只要有足够强度就可以了。为了获得良好的电场屏蔽效果,注意以下几点是必要的:电场屏蔽的设计要点磁场屏蔽的机理磁场屏蔽的机理磁场屏蔽通常是对直流或甚低频磁场的屏蔽,其效果比对电场屏蔽和电磁场屏蔽要差得多,因此磁场屏蔽是个棘手的问题。磁场屏蔽主要是依赖高导磁材料所具有的低磁阻,对磁通起着分路的作用,使得屏蔽体内部的磁场大大减弱。H1H0选用高导磁率的材料,如坡莫合金;以上两条均是为了减少屏蔽体的磁阻;注意磁屏蔽体的结构设计,凡接缝、通风孔等均可能增加磁屏蔽体的磁阻,从而降低屏蔽效果。为此,可以让缝隙或长条形通风孔循着磁场方向分布,这有利于屏蔽体在磁场方向的磁阻减小;增加屏蔽体的壁厚;被屏蔽的物体不要安排在紧靠屏蔽体的位置上,以尽量减少通过被屏蔽物体体内的磁通;12345提高磁场屏蔽效能的主要措施有:磁场屏蔽的设计要点磁场屏蔽的设计要点(续〕对于强磁场的屏蔽可采用双层磁屏蔽体的结构。对要屏蔽外部强磁场的,则屏蔽体外层要选用不易磁饱和的材料,如硅钢等;而内部可选用容易达到饱和的高导磁材料,如坡莫合金等。反之,如果要屏蔽内部强磁场时,则材料排列次序要倒过来。在安装内外两层屏蔽体时,要注意彼此间的磁绝缘。当没有接地要求时,可用绝缘材料做支撑件。若需要接地时,可选用非铁磁材料(如铜、铝)做支撑件。但从屏蔽体能兼有防止电场感应的目的出发,一般还是要接地的。电磁场屏蔽的机理电磁屏蔽体对电磁的衰减主要是基于电磁波的反射和电磁波的吸收两种方式。H1/E1H0/E0电磁场屏蔽的机理与前面已讲述的电场屏蔽及磁场屏蔽的机理不同,电磁屏蔽对于电磁波的衰减有三种不同的机理:电磁场屏蔽的机理(续〕当电磁波在到达屏蔽体

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