模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版).pdfVIP

百学须先立志。——朱熹

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绪论

一.符号约定

•大写字母、大写下标表示直流量。如：V、I等。

CEC

vi

•小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如：、等。

CEB

vi

•小写字母、小写下标表示纯交流量。如：、等。

ceb

•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如：等。

二．信号

（1）模型的转换

（2）分类

（3）频谱

二.放大电路

（1）模型

1

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（2）增益

如何确定电路的输出电阻r？

o

2

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三．频率响应以及带宽

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性同ＰＮ结。

*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死