模拟电子技术-随常练习.pdfVIP

好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》

1.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应()。

A.带负电B.带正电C.不带电

答题：A.B.C.D.（已提交）

2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将()。

A.变窄B.变宽C.不变

答题：A.B.C.D.（已提交）

3.二极管的死区电压随环境温度的升高而()。

A.增大B.不变C.减小

答题：A.B.C.D.（已提交）

4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V的

电路是()。

答题：A.B.C.D.（已提交）

5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为()。

A.最大值为40V，最小值为0V

B.最大值为40V，最小值为+10V

C.最大值为10V，最小值为－40V

D.最大值为10V，最小值为0V

答题：A.B.C.D.（已提交）

6.

稳压管的动态电阻rZ是指()。

A.稳定电压与相应电流IZ之比

B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值

C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值

答题：A.B.C.D.（已提交）

7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是()。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极

好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》

C.NPN管的发射极D.NPN管的基极

答题：A.B.C.D.（已提交）

8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为()。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管

C.NPN型硅管D.PNP型硅管

答题：A.B.C.D.（已提交）

1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流

()。

A.反向B.近似等于零

C.不变D.增大

答题：A.B.C.D.（已提交）

2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为()。

A.发射结反偏，集电结正偏

B.发射结、集电结均反偏

C.发射结、集电结均正偏

D.发射结正偏、集电结反偏

答题：A.B.C.D.（已提交）

3.晶体管的电流放大系数是指()。

A.工作在饱和区时的电流放大系数

B.工作在放大区时的电流放大系数

C.工作在截止区时的电流放大系数

答题：A.B.C.D.（已提交）

4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。

A.B.

C.答题：A.B.C.D.（已提交）

5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在()。

A.截止状态B.放大状态C.饱和状态

答题：A.B.C.D.（已提交）

6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为