铌酸锂晶片的键合减薄及热释电性能研究.docVIP

铌酸锂晶片的键合减薄及热释电性能研究

杨绪军梁庭牛坤旺刘岗张文栋

(中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，电子测试技术国防重点实验室，山西太原030051)

摘要：铌酸锂(LN)作为一种热释电材料，可以制作为光电探测器敏感单元的敏感层。通常LN晶片厚度为远大于光电敏感单元厚度的要求，所以需要用键合减薄及抛光技术对LN晶片进行加工处理。该键合减薄技术主要包含：RZJ-304键合、铣磨、抛光、剥离液剥离和丙酮清洗RZJ-304胶。经过加工后可得到面积为10mm10mm，厚度为50um，外表质量比拟光滑，的LN晶片。最后还测试验证了经该方法减薄抛光后的LN晶片热释电特性良好。

关键词：LN晶片;键合;减薄;抛光;热释电

中图分类号:TN305 文献标识码:A

Studyingpyroelectricperformanceoflithiumniobate?waferpreparedbywaferbondingandthinning

YangXujun,LiangTing,NiuKunwang,HanYu,LiuGang,ZhangWendong

(KeyLaboratoryofInstrumentationScienceDynamicMeasurement(NorthUniversityofChina),MinistryofEducation,shanxi，030051,china

NationalKeyLaboratoryforElectronicMeasurementTechnology,Shanxi,030051,China)

Abstract:Lithiumniobate?(LN)?asa?kindofpyroelectric?material?canbemade?intoa?sensitive?layerofsensitiveelementof?Photoelectricdetector.SincethethicknessofLNwaferistypical,LNwaferisprocessedbybonding,thinningandpolishingprocess.TheprocessmainlyincludesRZJ-304photoresistbonding,grinding,polishing,strippingliquidstrippingandacetonecleaning.Afterprocessing,thedimensionofLNwaferis10mm10mm50um,thesurfaceofLNisverysmooth,andtheroughnessofLNis1.63nm.Finally,testingthe?pyroelectric?effectofthinningandpolishing?LNwaferisgood.?

Keywords:LNwafer;bonding;thinning;polishing;pyroelectric?

铌酸锂[1-2](LiNbO3,简称LN)晶体作为一种多功能材料具有优良的热电、压电、介电、铁电、非线性光学、光弹性、机械以及物理性能，并且价格低廉、耐高温、耐腐蚀、易加工，在光电技术产业中获得广泛应用。

以LN晶体热电性能为例进行研究。LN晶体热释电系数虽然比许多热释电晶体小，但是由于它的居里温度高〔1260oC〕，硬度低(莫氏5)易加工，相对介电常数较小，而且化学、物理性能稳定，所以在光电探测[3]一直备受关注。因此，它在光电探测器中作为敏感层具有很好的开展前景。要制备光电敏感层，晶体就必须减薄到几十微米的级别，但通常LN晶体的厚度是，所以就需要进行减薄处理。

收稿日期：基金工程：国家863重大工程〔2006AA040101〕作者简介：杨绪军〔1985－〕，男，山西朔州人，研究生，主要从事光电探测器的理论和工艺研究，Tel:，E-mail:xjyang1986@163晶体的减薄方法

收稿日期：

基金工程：国家863重大工程〔2006AA040101〕

作者简介：杨绪军〔1985－〕，男，山西朔州人，研究生，主要从事光电探测器的理论和工艺研究，Tel:，E-mail:xjyang1986@163

1实验方法

图1加工工艺流程图

Fig1.Flowchartoftheprogress

图1加工工艺流