PVD和CVD无机薄膜沉积方式大全，一定有你不知道的......pdfVIP

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

PVD和CVD无机薄膜沉积方式大全，一定有你不知道的

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

无机薄膜沉积方式

在FDP的生产中,在制作无机薄膜时可以采用的方法有两种：

PVD和CVD(本文跟从众多资料的分类法,将VE和VS归于PVD而

ALD归于CVD)。

PhysicalVaporDeposition(PVD)

PhysicalVaporDeposition(PVD)亦称为物理气象沉淀技术。该

技术在真空条件下,通过先将材料源（固体或液体）表面气化成气态原

子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体

表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

PVD沉积流程可以粗略的被分为镀料的汽化、镀料的迁移和镀料

的沉积三个部分。

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

PVD沉积过程

根据工艺的不同,PVD可以提进一步分为真空蒸镀、溅射镀膜、电

弧等离子体镀膜、离子镀膜和分子束外延等。

真空蒸镀(VacuumEvaporation)

真空蒸镀(VacuumEvaporation)是指在真空条件下,使金属、金

属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上的工艺。

比较常用的蒸发方法为电阻加热、高频感应加热或用电子柬、激

光束以及离子束高能轰击镀料等。

VE简要设备原理图

溅射镀膜(VacuumSputtering)

溅射镀膜(VacuumSputtering)基本原理是充氩(Ar)气的真空条件

下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+),氩离子在

电场力的作用下加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而

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沉积到工件表面。

根据采用电流的不同,该工艺可以进一步分为采用直流辉光放电的

直流(Qc)溅射、采用射频(RF)辉光放电的射频溅射以及磁控(M)辉光放

电引起的称磁控溅射。

电弧等离子体镀膜

电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下,用引弧针引弧,使真

空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多

个阴极弧斑,不断迅速蒸发,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离

子体,并能迅速将镀料沉积于基体。

因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。

离子镀

离子镀基本原理是在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使

镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基

体上加负偏压。

这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。

PVD技术不仅能用于金属膜和合金膜的沉积,还可以用于沉积化合

物、陶瓷、半导体和聚合物膜等材料。

在显示屏生产中,真空蒸镀PVD技术被用于沉积活泼的金属电极

和在用FMM工艺的AMOLED中沉积小分子的

HIL/HTL/EML/ETL/EIL等,而磁控溅射PVD技术被用于制信号先的Al、

Cr、Ta、Mo等金属上以及像素电极的透明ITO上。