芯片行业分析：以功率半导体构筑全球竞争优势的护城河，洞察产品格局中的基础端新机遇（39页）.pptx

国产功率参与全球化竞争，长期空间足，板块估值处历史底部

u国产功率参与全球化竞争，产品与技术从“缓慢追赶”到“逐步领先”，积极拓展海外市场。国产功率厂商近几年快速进行技术升级与产品迭代，与国际龙头厂商差距显著缩小甚至在特定领域内快速取代海外龙头成为核心供应商，并且形成不可逆转的主流趋势。在二极管/IGBT模组领域，国内厂商建立强护城河，全球市占率显著提升，替代空间足，同时运用海外品牌或海外建厂等方式积极拓展海外市场，龙头企业海外销售占比有望进一步提升。MOSFET方面，AI服务器的快速放量提供增量空间，国产MOSFET替代空间足。

u车规主驱IGBT模块供给格局逐渐稳定，2024年为国产SiCMOSFET主驱规模放量元年。车规IGBT模组供给侧格局逐渐稳定，经过过去3年终端数据统计，车企更倾向于稳定性/可靠性占优的龙头供应商，由于缺货带来的多家供应的格局将逐渐向头部龙头企业集中。2024年为国产SiCMOSFET主驱规模放量的元年，8寸线逐渐落地，预计沟槽型SiCMOSFET也逐步追赶国际大厂。其中，性能指标（包括比导通电阻/短路耐受时间等）、产能（优先考虑产能供给充沛厂商）以及高可靠性成为终端车企关注重点。我们认为，具备领先SiC模块封装能力、充分的产能配套能力以及产品高可靠性的龙头企业有望充分受益。

u国产功率（上市公司）全球市占率约21%，长期替代空间足，短期需求缓慢恢复格局优化，板块处于估值底部。根据我们统计，上市功率公司2023年营收合计为443亿元，全球市占率约为21%，Omdia预计2026年全球功率半导体市场规模将增长至358.65亿美元（约2600亿元），长期看国产功率厂商将与国际大厂同台竞争替代空间足，短期来看，终端需求逐季复苏，产能充裕供给侧相对过剩，但格局上看会逐渐向头部厂商集中优化，当前功率板块处于历史估值底部，建议关注扬杰科技（双品牌运营，积极开拓海外市场）、斯达半导（车规IGBT龙头，SiC

MOS步入快速放量阶段）、华润微（国产MOSFET领先，12寸产线多品类布局）、新洁能（AI服务器等新兴应用占比提升）、芯联集成（8寸SiCMOS产线进展顺利，国产车规系统解决方案提供商）。

国产二极管/IGBT模组全球市占提升，AI服务器贡献MOS新应用

车规主驱SiCMOSFET国产放量元年，“器件”环节“性能/产能

/可靠性”为重要指标

需求缓慢复苏，依托本土终端需求市占率或进一步提升

相关标的投资建议

目录

03

02

01

04

二极管参与全球化竞争，铸极强护城河

2019年2020年2021年2022年2023年

资料来源：Vishay、强茂、Wind、华金证券研究所

2019年2022年2023年

4

强

茂

约

20

亿

营

收

约

50

营

2019年/2022年/2023年强茂二极管营收（亿元）

25.00

20.00

15.00

10.00

5.00

0.00

2019年-2023年美国Vishay二极管营收（亿美元）

8.00

7.006.005.004.003.002.001.000.00

Shindengen

Microchip

Nexperia

Infineon

ONSemi

STMicro

Diodes

PanJIT

Vishay

Rohm

7.09

7.65

6.91

5.02

5.57

Il

扬杰科技“双品牌+双循环”，景气拐点向上，估值处于历史底部

①“YJ+MCC”双品牌运转

②形成“双循环”

③率先越南封测基地，优化全球产业布局

估值底部，约20倍PE

2019年-2022年“MCC”海外销售占比（%）

2019年-2022年扬杰科技整体营收及海外销售营收（亿元）

23年海外

去库影响

60.00

50.00

40.00

30.00

20.00

10.00

0.00

200%180%160%140%120%100%80%60%40%20% 0%

景气拐点向上

2017年至今扬杰科技PE(TTM）

近1/3占比

2017-01-012018-01-012019-01-012020-01-012021-01-012022-01-012023-01-012024-01-01

2019Q1~2023Q4Vishay二极管BB值

140

120

100

80

60

40

20

0

33%31%29%27%25%23%21%19%17%15%

20192020