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GaN器件热性能的二阶重构多尺度分析.pdf

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    摘要

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    在现代微电子技术中，氮化镓（GaN）半导体器件因其出色的电气性能和

    高热稳定性，日益成为高效能电子器件设计的首选。随着这些器件在高功率和

    高频率中的广泛使用，热管理问题变得尤为重要。高效的热管理策略不仅能够

    延长器件的使用寿命，还能提高其性能。然而，随着器件尺寸的不断减小，传

    统的傅里叶导热定律在微纳米尺度下难以适用，这对热分析方法提出了新的挑

    战。为了克服这些挑战，本研究提出了一种创新的多尺度模拟方法-二阶重

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