sisn共掺杂氧化镓的第一性原理计算.docx

下载文档

8
0
约2.22万字
约 38页
2025-01-05 发布于河北
举报
版权申诉
保障服务

sisn共掺杂氧化镓的第一性原理计算.docx

1、本文档共38页，其中可免费阅读12页，需付费200金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

PAGE8

题目：Si，Sn共掺杂氧化镓的第一性原理计算

摘要

近几年，由于氧化镓(β-Ga2O3)本身具有良好的稳定性、超宽带隙(4.9eV)和优良的物理化学特性在光电导传感、太阳能电池、超高压功率器件等方面扮演着极其重要的角色。

由于掺杂可以调控β-Ga2O3的电子结构和物理化学性质，从而拓宽其应用领域。此外，由于共掺杂缺陷间存在相互作用，可以打破原本单一掺杂中溶解度的限制，减小跃迁能级，从而提升材料导电性。因此，寻找合适的掺杂剂并探寻最有效的掺杂方式是获得高性能Ga2O3的关键所在。第一性原理计算可以在较低成本下筛选合适的掺杂剂，调控材料的电学性质，揭示优异性能